产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 43.4A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 43.4A(Tc) 57.6W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP36N03LT,127
仓库库存编号:
1727-4648-ND
别名:1727-4648
568-5765
568-5765-5
568-5765-5-ND
568-5765-ND
934060629127
PHP36N03LT
PHP36N03LT,127-ND
PHP36N03LT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.5W(Ta),28W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C682NLWFT3G
仓库库存编号:
NVMFS5C682NLWFT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.8A(Ta),25A(Tc) 3.5W(Ta),28W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C682NLWFAFT3G
仓库库存编号:
NVMFS5C682NLWFAFT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 8A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 18W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SQS420EN-T1_GE3
仓库库存编号:
SQS420EN-T1_GE3-ND
别名:SQS420EN-T1-GE3
SQS420EN-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 62W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SQS482EN-T1_GE3
仓库库存编号:
SQS482EN-T1_GE3-ND
别名:SQS482EN-T1-GE3
SQS482EN-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2NCH 60V 7.1A 8SO
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 7.1A, 22.6A 1.5W Surface Mount 8-SO
型号:
DMNH6022SSD-13
仓库库存编号:
DMNH6022SSD-13-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 31V 40V SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel 11A (Ta) Surface Mount 8-SO
型号:
DMNH4015SSD-13
仓库库存编号:
DMNH4015SSD-13-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V 30V TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 3.9W(Ta) TO-252,(D-Pak)
型号:
DMPH3010LK3-13
仓库库存编号:
DMPH3010LK3-13-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 35A(Tc) 3.2W TO-252,(D-Pak)
型号:
DMPH6023SK3-13
仓库库存编号:
DMPH6023SK3-13-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 62W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SQ7414AENW-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ7414AENW-T1_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 32A(Tc) 45W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ464EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ464EP-T1_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 40V 50A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 2.6W(Ta) TO-252
型号:
DMNH4011SK3-13
仓库库存编号:
DMNH4011SK3-13DI-ND
别名:DMNH4011SK3-13DI
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 100V 52.5A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 52.5A(Ta) 2.1W(Ta) TO-252-4L
型号:
DMTH10H015LK3-13
仓库库存编号:
DMTH10H015LK3-13-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 31V 40V SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 11.4A (Ta) 1.8W 8-SO
型号:
DMPH4015SSSQ-13
仓库库存编号:
DMPH4015SSSQ-13-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 86A(Tc) 147W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK9Y8R7-60E,115
仓库库存编号:
1727-1128-1-ND
别名:1727-1128-1
568-10283-1
568-10283-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 87A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 87A(Tc) 147W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y8R7-60EX
仓库库存编号:
1727-1806-1-ND
别名:1727-1806-1
568-11420-1
568-11420-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 60V 26A TO251A
详细描述:通孔 P 沟道 26A(Tc) 2.5W(Ta),60W(Tc) TO-251A
型号:
AOI409
仓库库存编号:
AOI409-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.8A(Tc) 4W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3418AEEV-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ3418AEEV-T1_GE3-ND
别名:SQ3418AEEV-T1-GE3
SQ3418AEEV-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.82A(Ta),20A(Tc) 3W(Ta),20W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5C680NLTAG
仓库库存编号:
NVTFS5C680NLTAG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta) 3.6W(Ta),39W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5826NLT3G
仓库库存编号:
NVMFS5826NLT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 15.3A U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 15.3A(Ta),47A(Tc) 3W(Ta),28W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS4C10NWFTAG
仓库库存编号:
NVTFS4C10NWFTAG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 12A 8ULTRASO
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),50A(Tc) 2.1W(Ta),60W(Tc) UltraSO-8?
型号:
AOL1454
仓库库存编号:
AOL1454-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 68.2W(Tj) Power56
型号:
FDMS9411_F085
仓库库存编号:
FDMS9411_F085CT-ND
别名:FDMS9411_F085CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Tc) 62.5W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SQS401ENW-T1_GE3
仓库库存编号:
SQS401ENW-T1_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Tc) 62.5W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SQS423EN-T1_GE3
仓库库存编号:
SQS423EN-T1_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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