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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 51A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 51A（Tc） 80W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFZ44ZLPBF
  仓库库存编号：IRFZ44ZLPBF-ND
  别名：*IRFZ44ZLPBF
  SP001571852
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 270W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUF75545S3ST
  仓库库存编号：HUF75545S3STCT-ND
  别名：HUF75545S3STCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN004-60B,118
  仓库库存编号：1727-5267-1-ND
  别名：1727-5267-1
  568-6592-1
  568-6592-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 306W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN1R7-60BS,118
  仓库库存编号：1727-7106-1-ND
  别名：1727-7106-1
  568-9476-1
  568-9476-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL540STRLPBF
  仓库库存编号：IRL540STRLPBFCT-ND
  别名：IRL540STRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF1404ZPBF
  仓库库存编号：IRF1404ZPBF-ND
  别名：*IRF1404ZPBF
  IRF1404Z-010PBF
  IRF1404Z-010PBF-ND
  SP001574476
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 76A（Tc） 188W（Tc） D2PAK
  
  型号：NTB6410ANT4G
  仓库库存编号：NTB6410ANT4GOSCT-ND
  别名：NTB6410ANT4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 63W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRLI2910PBF
  仓库库存编号：IRLI2910PBF-ND
  别名：*IRLI2910PBF
  SP001558218
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 260A（Tc） 330W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3713STRLPBF
  仓库库存编号：IRL3713STRLPBFCT-ND
  别名：IRL3713STRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），80A（Tc） 245W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB050AN06A0
  仓库库存编号：FDB050AN06A0CT-ND
  别名：FDB050AN06A0CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），90A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB045AN08A0
  仓库库存编号：FDB045AN08A0CT-ND
  别名：FDB045AN08A0CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB015N04L G
  仓库库存编号：IPB015N04L GCT-ND
  别名：IPB015N04L GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP191NQ06LT,127
  仓库库存编号：1727-4639-ND
  别名：1727-4639
  568-5756
  568-5756-5
  568-5756-5-ND
  568-5756-ND
  934058544127
  PHP191NQ06LT
  PHP191NQ06LT,127-ND
  PHP191NQ06LT-ND
  PHP191NQ06LT127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 120A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM120N10-3M8_GE3
  仓库库存编号：SQM120N10-3M8_GE3TR-ND
  别名：SQM120N10-3M8_GE3TR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 120A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM120N10-3M8_GE3
  仓库库存编号：SQM120N10-3M8_GE3CT-ND
  别名：SQM120N10-3M8_GE3-ND
  SQM120N10-3M8_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta），79A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB2532
  仓库库存编号：FDB2532CT-ND
  别名：FDB2532CT
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 80A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），80A（Tc） 255W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB060AN08A0
  仓库库存编号：FDB060AN08A0CT-ND
  别名：FDB060AN08A0CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 40A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 40A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF5210PBF
  仓库库存编号：IRF5210PBF-ND
  别名：*IRF5210PBF
  SP001559642
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB019N06L3 G
  仓库库存编号：IPB019N06L3 GCT-ND
  别名：IPB019N06L3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），124A（Tc） 3.3W（Ta），125W（Tc） DIRECTFET L8
  
  型号：IRF7769L1TRPBF
  仓库库存编号：IRF7769L1TRPBFCT-ND
  别名：IRF7769L1TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Tc） 3.75W（Ta），375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM45N25-58-E3
  仓库库存编号：SUM45N25-58-E3CT-ND
  别名：SUM45N25-58-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 92A（Tc） 234W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB110N15A
  仓库库存编号：FDB110N15ACT-ND
  别名：FDB110N15ACT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 250W（Tc） TO-220-3
  
  型号：CSD18532KCS
  仓库库存编号：296-34941-5-ND
  别名：296-34941-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 380W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：IRLS3036TRL7PP
  仓库库存编号：IRLS3036TRL7PPCT-ND
  别名：IRLS3036TRL7PPCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB011N04L G
  仓库库存编号：IPB011N04L GCT-ND
  别名：IPB011N04L GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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