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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 25A 600V STD
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole isoCINK+? BU
  
  型号：BU25H06-E3/P
  仓库库存编号：BU25H06-E3/PGI-ND
  别名：BU25H06-E3/PGI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 25A 800V STD
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole isoCINK+? BU
  
  型号：BU25H08-E3/A
  仓库库存编号：BU25H08-E3/AGI-ND
  别名：BU25H08-E3/AGI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 25A 800V STD
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole isoCINK+? BU
  
  型号：BU25H08-E3/P
  仓库库存编号：BU25H08-E3/PGI-ND
  别名：BU25H08-E3/PGI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
  详细描述：表面贴装 P 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM70101EL-GE3
  仓库库存编号：SUM70101EL-GE3CT-ND
  别名：SUM70101EL-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 64A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP90220E-GE3
  仓库库存编号：SUP90220E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 64A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 64A（Tc） 230W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SUM90220E-GE3
  仓库库存编号：SUM90220E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 395W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SUG90090E-GE3
  仓库库存编号：SUG90090E-GE3CT-ND
  别名：SUG90090E-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 40V 160A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 160A（Tc） 300W（Tc） I2PAK
  
  型号：STI300N4F6
  仓库库存编号：497-13648-5-ND
  别名：497-13648-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） H2PAK
  
  型号：STH270N4F3-6
  仓库库存编号：497-11218-1-ND
  别名：497-11218-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 120A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 315W（Tc） TO-220
  
  型号：STP180N10F3
  仓库库存编号：497-11228-5-ND
  别名：497-11228-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP70040E-GE3
  仓库库存编号：SUP70040E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 100A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 500W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SUG80050E-GE3
  仓库库存编号：SUG80050E-GE3CT-ND
  别名：SUG80050E-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 65A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 65A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF150N10F7
  仓库库存编号：497-15013-5-ND
  别名：497-15013-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 120A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） TO-220
  
  型号：STP260N6F6
  仓库库存编号：497-11230-5-ND
  别名：497-11230-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 120A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF130N10F3
  仓库库存编号：497-13098-5-ND
  别名：497-13098-5
  STF130N10F3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 29A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Ta），120A（Tc） 3W（Ta），214W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI020N06NAKSA1
  仓库库存编号：IPI020N06NAKSA1-ND
  别名：IPI020N06N
  IPI020N06N-ND
  SP000962132
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 48A 250W TO247AC
  详细描述：IGBT Trench 600V 48A 250W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRGP4062DPBF
  仓库库存编号：IRGP4062DPBF-ND
  别名：SP001545058
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IGBT 1200V 160A TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 160A 454W Through Hole TO-247-3
  
  型号：NGTB40N120FL3WG
  仓库库存编号：NGTB40N120FL3WGOS-ND
  别名：NGTB40N120FL3WGOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 120A 468W Through Hole TO-247
  
  型号：STGW75M65DF2
  仓库库存编号：497-16974-ND
  别名：497-16974
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 30A 259W Through Hole TO-247
  
  型号：STGW15H120F2
  仓库库存编号：497-14713-5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 650V 150A 455W TO-247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 150A 455W Through Hole TO-247 Long Leads
  
  型号：FGH75T65SHD_F155
  仓库库存编号：FGH75T65SHD_F155-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  40V/440A TRENCHT4 PWR MOSFET TO-
  详细描述：表面贴装 N 沟道 440A（Tc） 940W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT440N04T4HV
  仓库库存编号：IXTT440N04T4HV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1.7KV 40A TO247
  详细描述：IGBT 1700V 40A 310W Through Hole TO-247 (IXYH)
  
  型号：IXYH16N170CV1
  仓库库存编号：IXYH16N170CV1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 600V 200A PLUS247
  详细描述：IGBT PT 600V 340A Through Hole PLUS247?-3
  
  型号：IXXX200N60C3
  仓库库存编号：IXXX200N60C3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  POWER MODULE 100V 435A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 435A（Tc） 652W（Tc） SOT-227
  
  型号：VS-FC420SA10
  仓库库存编号：VS-FC420SA10GICT-ND
  别名：VS-FC420SA10GICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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