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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB100N10F7
  仓库库存编号：497-14527-1-ND
  别名：497-14527-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 8A 68W Through Hole TO-220AB
  
  型号：STGP4M65DF2
  仓库库存编号：497-17548-ND
  别名：497-17548
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 200A POWERPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 150W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SQJQ466E-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJQ466E-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJQ466E-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 263W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK762R6-40E,118
  仓库库存编号：1727-1065-1-ND
  别名：1727-1065-1
  568-10175-1
  568-10175-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 200A PWRPAK 8X8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 158W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIJH440E-T1-GE3
  仓库库存编号：SIJH440E-T1-GE3CT-ND
  别名：SIJH440E-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP140NF55
  仓库库存编号：497-4370-5-ND
  别名：497-4370-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 200A PWRPAK 8X8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 150W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SQJQ100EL-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJQ100EL-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJQ100EL-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 240A MO299A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 300W（Tj） 8-PSOF
  
  型号：FDBL86566_F085
  仓库库存编号：FDBL86566_F085CT-ND
  别名：FDBL86566_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 270W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN1R8-30BL,118
  仓库库存编号：1727-7112-1-ND
  别名：1727-7112-1
  568-9482-1
  568-9482-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 188W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL285N4F7AG
  仓库库存编号：STL285N4F7AG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 110A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 250W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：STI150N10F7
  仓库库存编号：497-15015-5-ND
  别名：497-15015-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 83A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 76A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB7787PBF
  仓库库存编号：IRFB7787PBF-ND
  别名：SP001570798
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB155N3LH6
  仓库库存编号：497-11323-1-ND
  别名：497-11323-1
  497-11323-5
  497-11323-5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 150W（Tc） H2PAK
  
  型号：STH110N10F7-6
  仓库库存编号：497-13837-1-ND
  别名：497-13837-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 80V 75A POWERFLAT56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 80W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL75N8LF6
  仓库库存编号：497-11252-1-ND
  别名：497-11252-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 120A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） TO-220
  
  型号：STP185N10F3
  仓库库存编号：STP185N10F3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB120N4F6
  仓库库存编号：497-10768-1-ND
  别名：497-10768-1
  497-10768-5
  497-10768-5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 100V 108A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 108A（Tc） 2.4W（Ta）, 166W（Tc） TO-220AB
  
  型号：DMTH10H010LCT
  仓库库存编号：DMTH10H010LCTDI-5-ND
  别名：DMTH10H010LCTDI-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 203W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK9E08-55B,127
  仓库库存编号：1727-4636-ND
  别名：1727-4636
  568-5732
  568-5732-5
  568-5732-5-ND
  568-5732-ND
  934057717127
  BUK9E08-55B,127-ND
  BUK9E0855B127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 18A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STP36NF06FP
  仓库库存编号：497-16203-5-ND
  别名：497-16203-5
  STP36NF06FP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 70A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP70NF03L
  仓库库存编号：STP70NF03L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 55V 60A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 45W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STP80NF55-06FP
  仓库库存编号：STP80NF55-06FP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 211W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN4R6-60PS,127
  仓库库存编号：1727-4663-ND
  别名：1727-4663
  568-5780
  568-5780-5
  568-5780-5-ND
  568-5780-ND
  934064296127
  PSMN4R6-60PS,127-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 50A D2PK TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 125W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM70090E-GE3
  仓库库存编号：SUM70090E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 136W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL160N3LLH6
  仓库库存编号：497-11204-1-ND
  别名：497-11204-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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