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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 90A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 150W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD9409_F085
  仓库库存编号：FDD9409_F085CT-ND
  别名：FDD9409_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 8A 68W Surface Mount D2PAK
  
  型号：STGB4M65DF2
  仓库库存编号：497-16964-1-ND
  别名：497-16964-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 11.2A SO-8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.2A（Ta） 3.7W（Ta），107W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5844NLT1G
  仓库库存编号：NVMFS5844NLT1GOSCT-ND
  别名：NVMFS5844NLT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 100W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB70NF3LLT4
  仓库库存编号：STB70NF3LLT4-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRENCH 6 40V FET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 85A（Tc） 55W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NVTFS5C454NLWFTAG
  仓库库存编号：NVTFS5C454NLWFTAGOSCT-ND
  别名：NVTFS5C454NLWFTAGOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 96W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK768R1-40E,118
  仓库库存编号：1727-7257-1-ND
  别名：1727-7257-1
  568-9886-1
  568-9886-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET NCH 30V 45A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 45A（Tc） 4.8W（Ta）, 75W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL45P3LLH6
  仓库库存编号：STL45P3LLH6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJA46EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJA46EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJA46EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 60A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJA02EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJA02EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJA02EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 60A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJA62EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJA62EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJA62EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 60A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJA90EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJA90EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJA90EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 20A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP20NF06L
  仓库库存编号：497-4375-5-ND
  别名：497-4375-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET PCH 40V 20A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：STD40P3LLH6
  仓库库存编号：STD40P3LLH6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 300V 10A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 103W（Tc） DPAK
  
  型号：STD10NF30
  仓库库存编号：STD10NF30-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 109A（Tc） 114W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NVTFS5C658NLTAG
  仓库库存编号：NVTFS5C658NLTAGOSCT-ND
  别名：NVTFS5C658NLTAGOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  TRENCH 6 60V FET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 46W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C673NLWFAFT1G
  仓库库存编号：NVMFS5C673NLWFAFT1GOSCT-ND
  别名：NVMFS5C673NLWFAFT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 40V 60A SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ409EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ409EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ409EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET NCH 60V 20A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 4.8W（Ta）, 75W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL20NF06LAG
  仓库库存编号：STL20NF06LAG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.6A（Ta） 1W（Ta） SOT-223（TO-261）
  
  型号：NVF2955T1G
  仓库库存编号：NVF2955T1GOSCT-ND
  别名：NVF2955T1GOSCT
  
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  MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 100W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD60NF3LLT4
  仓库库存编号：497-2476-1-ND
  别名：497-2476-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  TRENCH 6 60V FET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 28W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS5C682NLT1G
  仓库库存编号：NTMFS5C682NLT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS5C682NLT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 109A（Tc） 114W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NVTFS5C658NLWFTAG
  仓库库存编号：NVTFS5C658NLWFTAGOSCT-ND
  别名：NVTFS5C658NLWFTAGOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 60V 20A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 65W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL8N6LF3
  仓库库存编号：STL8N6LF3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 100V 25A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 85W（Tc） DPAK
  
  型号：STD20NF10T4
  仓库库存编号：STD20NF10T4-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 60V 100A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 3.9W（Ta）, 180W（Tc） TO-252-4L
  
  型号：DMTH6004SK3Q-13
  仓库库存编号：DMTH6004SK3Q-13DICT-ND
  别名：DMTH6004SK3Q-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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