产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 100V, 1000MW, %, S
详细描述:Zener Diode 1W ±5% Surface Mount Sub SMA
型号:
BZD27C100P R3G
仓库库存编号:
BZD27C100P R3GCT-ND
别名:BZD27C100P R3GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 100V, 1000MW, %, S
详细描述:Zener Diode 1W ±5% Surface Mount Sub SMA
型号:
BZD27C100P R3G
仓库库存编号:
BZD27C100P R3GDKR-ND
别名:BZD27C100P R3GDKR
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 12V, 1000MW, %, SU
详细描述:Zener Diode 1W ±5% Surface Mount Sub SMA
型号:
BZD27C12P R3G
仓库库存编号:
BZD27C12P R3GTR-ND
别名:BZD27C12P R3GTR
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 12V, 1000MW, %, SU
详细描述:Zener Diode 1W ±5% Surface Mount Sub SMA
型号:
BZD27C12P R3G
仓库库存编号:
BZD27C12P R3GCT-ND
别名:BZD27C12P R3GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 12V, 1000MW, %, SU
详细描述:Zener Diode 1W ±5% Surface Mount Sub SMA
型号:
BZD27C12P R3G
仓库库存编号:
BZD27C12P R3GDKR-ND
别名:BZD27C12P R3GDKR
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 22V, 1000MW, %, SU
详细描述:Zener Diode 1W ±5% Surface Mount Sub SMA
型号:
BZD27C22P R3G
仓库库存编号:
BZD27C22P R3GTR-ND
别名:BZD27C22P R3GTR
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 22V, 1000MW, %, SU
详细描述:Zener Diode 1W ±5% Surface Mount Sub SMA
型号:
BZD27C22P R3G
仓库库存编号:
BZD27C22P R3GCT-ND
别名:BZD27C22P R3GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 22V, 1000MW, %, SU
详细描述:Zener Diode 1W ±5% Surface Mount Sub SMA
型号:
BZD27C22P R3G
仓库库存编号:
BZD27C22P R3GDKR-ND
别名:BZD27C22P R3GDKR
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 36V, 1000MW, %, SU
详细描述:Zener Diode 1W ±5% Surface Mount Sub SMA
型号:
BZD27C36P R3G
仓库库存编号:
BZD27C36P R3GTR-ND
别名:BZD27C36P R3GTR
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 36V, 1000MW, %, SU
详细描述:Zener Diode 1W ±5% Surface Mount Sub SMA
型号:
BZD27C36P R3G
仓库库存编号:
BZD27C36P R3GCT-ND
别名:BZD27C36P R3GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 36V, 1000MW, %, SU
详细描述:Zener Diode 1W ±5% Surface Mount Sub SMA
型号:
BZD27C36P R3G
仓库库存编号:
BZD27C36P R3GDKR-ND
别名:BZD27C36P R3GDKR
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
DUAL N-CHANNEL 20-V (D-S) 175C M
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 840mA (Tc) 1.5W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
型号:
SQ1922EEH-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ1922EEH-T1_GE3CT-ND
别名:SQ1922EEH-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V POWERPAK SC-70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.25A(Tc) 13.6W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SQA470EJ-T1_GE3
仓库库存编号:
SQA470EJ-T1_GE3CT-ND
别名:SQA470EJ-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V POWERPAK SC-70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.75A(Tc) 13.6W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SQA401EJ-T1_GE3
仓库库存编号:
SQA401EJ-T1_GE3CT-ND
别名:SQA401EJ-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 84A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 84A(Tc) 61W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN4R5-30YLC,115
仓库库存编号:
1727-5305-1-ND
别名:1727-5305-1
568-6738-1
568-6738-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 22A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Tc) 45W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK9Y43-60E,115
仓库库存编号:
1727-1501-1-ND
别名:1727-1501-1
568-10981-1
568-10981-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 19A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Tc) 64W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y65-100EX
仓库库存编号:
1727-1115-1-ND
别名:1727-1115-1
568-10270-1
568-10270-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 34A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Tc) 64W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y25-60EX
仓库库存编号:
1727-1803-1-ND
别名:1727-1803-1
568-11417-1
568-11417-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 51W(Tc) DPAK
型号:
BUK7277-55A,118
仓库库存编号:
1727-7160-1-ND
别名:1727-7160-1
568-9643-1
568-9643-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V MLFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 79W(Tc) LFPAK33
型号:
BUK7M17-80EX
仓库库存编号:
1727-7313-1-ND
别名:1727-7313-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.6A(Ta) 3.2W(Ta),22W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5826NLTWG
仓库库存编号:
NVTFS5826NLTWGOSCT-ND
别名:NVTFS5826NLTWGOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 94.9W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK9Y38-100E,115
仓库库存编号:
1727-1498-1-ND
别名:1727-1498-1
568-10978-1
568-10978-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 128W(Tc) DPAK
型号:
BUK625R2-30C,118
仓库库存编号:
1727-7148-1-ND
别名:1727-7148-1
568-9625-1
568-9625-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V POWERPAK SO-8L
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 48W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJA88EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJA88EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJA88EP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO-8L
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 11.3A (Tc) 27W (Tc) Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SQJB70EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJB70EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJB70EP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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