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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 51A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 51A（Tc） 3.8W（Ta），230W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB52N15DPBF
  仓库库存编号：IRFB52N15DPBF-ND
  别名：*IRFB52N15DPBF
  SP001572332
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V H2PAK-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 365W（Tc） H2PAK-6
  
  型号：STH410N4F7-6AG
  仓库库存编号：497-16422-1-ND
  别名：497-16422-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 650V 18A 50W TO220
  详细描述：IGBT PT 650V 18A 50W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IXYP20N65C3D1M
  仓库库存编号：IXYP20N65C3D1M-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 60A 260W TO3PL
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 60A 260W Through Hole TO-3P
  
  型号：STGWT30H60DFB
  仓库库存编号：497-15140-5-ND
  别名：497-15140-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 650V 50A 230W TO247AD
  详细描述：IGBT PT 650V 50A 230W Through Hole TO-247 (IXYH)
  
  型号：IXYH20N65C3
  仓库库存编号：IXYH20N65C3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IGBT 25A 1200V TO-247
  详细描述：IGBT Trench 1200V 50A 385W Through Hole TO-247-3
  
  型号：NGTB25N120SWG
  仓库库存编号：NGTB25N120SWGOS-ND
  别名：NGTB25N120SWGOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 650V 130A 600W TO247
  详细描述：IGBT PT 650V 130A 600W Through Hole TO-247 (IXYH)
  
  型号：IXYH50N65C3
  仓库库存编号：IXYH50N65C3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1300V 60A 348W TO3P
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1300V 60A 348W Through Hole TO-3PN
  
  型号：FGA30S120P
  仓库库存编号：FGA30S120P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 76A 268W TO247AC
  详细描述：IGBT Trench 600V 76A 268W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRGP4069DPBF
  仓库库存编号：IRGP4069DPBF-ND
  别名：SP001535800
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 650V 118A 455W TO247AD
  详细描述：IGBT PT 650V 118A 455W Through Hole TO-247 (IXXH)
  
  型号：IXXH60N65C4
  仓库库存编号：IXXH60N65C4-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 155A 536W TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 155A 536W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT75GN60BG
  仓库库存编号：APT75GN60BG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 1200V 40A TO247-3L
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 468W Through Hole TO-247-3
  
  型号：STGWA40S120DF3
  仓库库存编号：497-15630-5-ND
  别名：497-15630-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 650V 150A 455W ISOPLUS247
  详细描述：IGBT PT 650V 150A 455W Through Hole ISOPLUS247?
  
  型号：IXXR110N65B4H1
  仓库库存编号：IXXR110N65B4H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 220A 536W SOT227
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 220A 536W Through Hole
  
  型号：APT150GN60B2G
  仓库库存编号：APT150GN60B2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  DIODE, ZENER, 12V, 200MW, 5%, SO
  详细描述：Zener Diode 200mW ±5% Surface Mount SOD-323F
  
  型号：BZT52C12S RRG
  仓库库存编号：BZT52C12S RRGTR-ND
  别名：BZT52C12S RRGTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  DIODE, ZENER, 12V, 200MW, 5%, SO
  详细描述：Zener Diode 200mW ±5% Surface Mount SOD-323F
  
  型号：BZT52C12S RRG
  仓库库存编号：BZT52C12S RRGCT-ND
  别名：BZT52C12S RRGCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  DIODE, ZENER, 12V, 200MW, 5%, SO
  详细描述：Zener Diode 200mW ±5% Surface Mount SOD-323F
  
  型号：BZT52C12S RRG
  仓库库存编号：BZT52C12S RRGDKR-ND
  别名：BZT52C12S RRGDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  DIODE, ZENER, 15V, 200MW, 5%, SO
  详细描述：Zener Diode 200mW ±5% Surface Mount SOD-323F
  
  型号：BZT52C15S RRG
  仓库库存编号：BZT52C15S RRGTR-ND
  别名：BZT52C15S RRGTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  DIODE, ZENER, 15V, 200MW, 5%, SO
  详细描述：Zener Diode 200mW ±5% Surface Mount SOD-323F
  
  型号：BZT52C15S RRG
  仓库库存编号：BZT52C15S RRGCT-ND
  别名：BZT52C15S RRGCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  DIODE, ZENER, 15V, 200MW, 5%, SO
  详细描述：Zener Diode 200mW ±5% Surface Mount SOD-323F
  
  型号：BZT52C15S RRG
  仓库库存编号：BZT52C15S RRGDKR-ND
  别名：BZT52C15S RRGDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  DIODE, ZENER, 51V, 200MW, 5%, SO
  详细描述：Zener Diode 200mW ±5% Surface Mount SOD-323F
  
  型号：BZT52C51S RRG
  仓库库存编号：BZT52C51S RRGTR-ND
  别名：BZT52C51S RRGTR
  
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  DIODE, ZENER, 51V, 200MW, 5%, SO
  详细描述：Zener Diode 200mW ±5% Surface Mount SOD-323F
  
  型号：BZT52C51S RRG
  仓库库存编号：BZT52C51S RRGCT-ND
  别名：BZT52C51S RRGCT
  
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  DIODE, ZENER, 51V, 200MW, 5%, SO
  详细描述：Zener Diode 200mW ±5% Surface Mount SOD-323F
  
  型号：BZT52C51S RRG
  仓库库存编号：BZT52C51S RRGDKR-ND
  别名：BZT52C51S RRGDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  DIODE, ZENER, 5.1V, 200MW, 5%, S
  详细描述：Zener Diode 200mW ±5% Surface Mount SOD-323F
  
  型号：BZT52C5V1S RRG
  仓库库存编号：BZT52C5V1S RRGTR-ND
  别名：BZT52C5V1S RRGTR
  
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  DIODE, ZENER, 5.1V, 200MW, 5%, S
  详细描述：Zener Diode 200mW ±5% Surface Mount SOD-323F
  
  型号：BZT52C5V1S RRG
  仓库库存编号：BZT52C5V1S RRGCT-ND
  别名：BZT52C5V1S RRGCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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