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• Comchip Technology
  RECT BRIDGE GP 800V 2A ABSZ4
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 2A Surface Mount ABS(Z4)
  
  型号：Z4GP208-HF
  仓库库存编号：641-1507-1-ND
  别名：641-1507-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 57A POWERFLAT
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 57A (Tc) 62.5W Surface Mount PowerFlat? (5x6)
  
  型号：STL50DN6F7
  仓库库存编号：497-16488-1-ND
  别名：497-16488-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  DUAL N-CHANNEL 60 V 0.023 OHM TY
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 33A (Tc) 58W Surface Mount PowerFlat? (5x6)
  
  型号：STL36DN6F7
  仓库库存编号：497-17308-1-ND
  别名：497-17308-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 8A 8SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta） 3.2W（Ta） 8-SO
  
  型号：STS8N6LF6AG
  仓库库存编号：497-17150-1-ND
  别名：497-17150-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 60 V 4.2 MOHM TYP. 80
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 134W（Tc） DPAK
  
  型号：STD130N6F7
  仓库库存编号：497-17305-1-ND
  别名：497-17305-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 134W（Tc） DPAK
  
  型号：STD134N4F7AG
  仓库库存编号：497-17306-1-ND
  别名：497-17306-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 172W（Tc） DPAK
  
  型号：STD170N4F7AG
  仓库库存编号：497-17307-1-ND
  别名：497-17307-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  POWER TRANSISTORS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 111W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL140N4F7AG
  仓库库存编号：497-16679-1-ND
  别名：497-16679-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  POWER TRANSISTORS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 127W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL190N4F7AG
  仓库库存编号：497-16678-1-ND
  别名：497-16678-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 48A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 60W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU60N3LH5
  仓库库存编号：497-12697-5-ND
  别名：497-12697-5
  STU60N3LH5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 18A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9Z34STRLPBF
  仓库库存编号：IRF9Z34STRLPBFCT-ND
  别名：IRF9Z34STRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 120A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 136W（Tc） TO-220
  
  型号：STP160N3LL
  仓库库存编号：497-16021-5-ND
  别名：497-16021-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 120A PWRFLAT 5X6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 158W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STLD200N4F6AG
  仓库库存编号：497-17148-1-ND
  别名：497-17148-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 120A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 99W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB7446PBF
  仓库库存编号：IRFB7446PBF-ND
  别名：SP001577760
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） H2PAK
  
  型号：STH80N10F7-2
  仓库库存编号：497-14980-1-ND
  别名：497-14980-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 2.4W（Ta），150W（Tj） D2PAK
  
  型号：NTB60N06T4G
  仓库库存编号：NTB60N06T4GOSCT-ND
  别名：NTB60N06T4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  AUTO NCHANNEL 60V POWER MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 188W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL225N6F7AG
  仓库库存编号：497-17551-1-ND
  别名：497-17551-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 30 V, 2 MOHM TYP., 120
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 176.5W（Tc） TO-220
  
  型号：STP200N3LL
  仓库库存编号：497-16935-ND
  别名：497-16935
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 21A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 37W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRFIZ34NPBF
  仓库库存编号：IRFIZ34NPBF-ND
  别名：*IRFIZ34NPBF
  SP001575796
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 17A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Ta），45A（Tc） 3W（Ta），83W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP060N06NAKSA1
  仓库库存编号：IPP060N06NAKSA1-ND
  别名：IPP060N06N
  IPP060N06N-ND
  SP000917402
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 40 V 21 MOHM TYP. 120
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 235W（Tc） TO-220
  
  型号：STP260N4F7
  仓库库存编号：497-17320-ND
  别名：497-17320
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 650V 30A 160W TO220
  详细描述：IGBT PT 650V 30A 160W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IXYP10N65C3
  仓库库存编号：IXYP10N65C3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 40V 90A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 140W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU7440PBF
  仓库库存编号：IRFU7440PBF-ND
  别名：SP001565158
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V H2PAK-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 365W（Tc） H2Pak-2
  
  型号：STH410N4F7-2AG
  仓库库存编号：497-16421-1-ND
  别名：497-16421-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1400V 40A 272W TO-3PN
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1400V 40A 272W Through Hole TO-3PN
  
  型号：FGA20S140P
  仓库库存编号：FGA20S140P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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