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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 55V 120A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP150NF55
  仓库库存编号：497-6117-5-ND
  别名：497-6117-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 370W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：IRFS3107TRL7PP
  仓库库存编号：IRFS3107TRL7PPCT-ND
  别名：IRFS3107TRL7PPCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 130A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 520W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP4668PBF
  仓库库存编号：IRFP4668PBF-ND
  别名：AUXSNFP4668
  AUXSNFP4668-ND
  SP001572854
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IGBT 1200V 160A TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 160A 454W Through Hole TO-247-3
  
  型号：NGTB40N120L3WG
  仓库库存编号：NGTB40N120L3WGOS-ND
  别名：NGTB40N120L3WGOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  RECT BRIDGE FAST 3PHASE I4-PAC-5
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1600V 50A Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FUO50-16N
  仓库库存编号：FUO50-16N-ND
  别名：FUO5016N
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 155A 536W TO264
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 155A 536W Through Hole TO-264 [L]
  
  型号：APT75GN60LDQ3G
  仓库库存编号：APT75GN60LDQ3G-ND
  别名：APT75GN60LDQ3GMI
  APT75GN60LDQ3GMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  POWER MOD DIODE 600V 90A SOT227
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 90A Chassis Mount SOT-227
  
  型号：APT60DF60HJ
  仓库库存编号：APT60DF60HJ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Tc） 68W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR2705TRPBF
  仓库库存编号：IRLR2705PBFCT-ND
  别名：*IRLR2705TRPBF
  IRLR2705PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 71A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 99W（Tc） DPAK
  
  型号：IRFR7546TRPBF
  仓库库存编号：IRFR7546TRPBFCT-ND
  别名：IRFR7546TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 140W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：IRFR7540TRPBF
  仓库库存编号：IRFR7540TRPBFCT-ND
  别名：IRFR7540TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 71W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：IPZ40N04S5L2R8ATMA1
  仓库库存编号：IPZ40N04S5L2R8ATMA1CT-ND
  别名：IPZ40N04S5L2R8ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 179A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 125W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：IRFR8314TRPBF
  仓库库存编号：IRFR8314TRPBFCT-ND
  别名：IRFR8314TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 70A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD042P03L3GATMA1
  仓库库存编号：IPD042P03L3GATMA1CT-ND
  别名：IPD042P03L3GATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB037N06N3 G
  仓库库存编号：IPB037N06N3 GCT-ND
  别名：IPB037N06N3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB029N06N3 G
  仓库库存编号：IPB029N06N3 GCT-ND
  别名：IPB029N06N3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 184A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 125W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRLB8314PBF
  仓库库存编号：IRLB8314PBF-ND
  别名：64-0101PBF
  64-0101PBF-ND
  SP001572766
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 14A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 14A（Tc） 79W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9530NPBF
  仓库库存编号：IRF9530NPBF-ND
  别名：*IRF9530NPBF
  SP001570634
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 36A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 92W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF540ZPBF
  仓库库存编号：IRF540ZPBF-ND
  别名：*IRF540ZPBF
  SP001561896
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 92A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Ta），92A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FDP8896
  仓库库存编号：FDP8896-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.2A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF520SPBF
  仓库库存编号：IRF520SPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF1407STRLPBF
  仓库库存编号：IRF1407STRLPBFCT-ND
  别名：IRF1407STRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 104A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL2505STRLPBF
  仓库库存编号：IRL2505STRLPBFCT-ND
  别名：IRL2505STRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 310W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB140NF75T4
  仓库库存编号：497-6547-1-ND
  别名：497-6547-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 15A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 30W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF20N06
  仓库库存编号：FQPF20N06-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 3.8W（Ta），300W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS38N20DTRLP
  仓库库存编号：IRFS38N20DTRLPCT-ND
  别名：IRFS38N20DTRLPCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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