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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 100V 100A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 118W（Tc） TO-220-3
  
  型号：CSD19534KCS
  仓库库存编号：296-38676-5-ND
  别名：296-38676-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 88W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRLZ34PBF
  仓库库存编号：IRLZ34PBF-ND
  别名：*IRLZ34PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 40A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD40N10-25-E3
  仓库库存编号：SUD40N10-25-E3CT-ND
  别名：SUD40N10-25-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 50A DPAK TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 125W（Tc） TO-252
  
  型号：SUD70090E-GE3
  仓库库存编号：SUD70090E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 260A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 260A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRLB3813PBF
  仓库库存编号：IRLB3813PBF-ND
  别名：64-0084PBF
  64-0084PBF-ND
  SP001558110
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 260A 8PWRFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 260A（Tc） 4.8W（Ta）, 187W（Tc） PowerFLAT（6x5）
  
  型号：STL220N6F7
  仓库库存编号：497-15914-1-ND
  别名：497-15914-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 96A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 96A（Tc） 188W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP085N10A_F102
  仓库库存编号：FDP085N10A_F102-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 50A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STP55NF06FP
  仓库库存编号：497-3193-5-ND
  别名：497-3193-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 52.4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 52.4A（Tc） 121W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP50N06L
  仓库库存编号：FQP50N06L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 33A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 227W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA28N15
  仓库库存编号：FQA28N15-ND
  别名：Q2458553
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP20NF20
  仓库库存编号：497-5812-5-ND
  别名：497-5812-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFETL8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Ta），200A（Tc） 3.3W（Ta），125W（Tc） DIRECTFET L8
  
  型号：IRF7749L1TRPBF
  仓库库存编号：IRF7749L1TRPBFCT-ND
  别名：IRF7749L1TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 24A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Ta），100A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP029N06NAKSA1
  仓库库存编号：IPP029N06NAKSA1-ND
  别名：IPP029N06N
  IPP029N06N-ND
  SP000917404
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 100V 110A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 150W（Tc） TO-220
  
  型号：STP110N10F7
  仓库库存编号：497-13551-5-ND
  别名：497-13551-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB020NE7N3 G
  仓库库存编号：IPB020NE7N3 GCT-ND
  别名：IPB020NE7N3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB4710PBF
  仓库库存编号：IRFB4710PBF-ND
  别名：*IRFB4710PBF
  SP001556118
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 150V 36A TO-3P
  详细描述：通孔 P 沟道 36A（Tc） 294W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA36P15
  仓库库存编号：FQA36P15-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7
  
  型号：IPB019N08N3 G
  仓库库存编号：IPB019N08N3 GCT-ND
  别名：IPB019N08N3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 80A 349W TO-247-3
  详细描述：IGBT Field Stop 600V 80A 349W Through Hole TO-247-3
  
  型号：FGH40N60SMD
  仓库库存编号：FGH40N60SMD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 45A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Ta），180A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7
  
  型号：IPB010N06NATMA1
  仓库库存编号：IPB010N06NATMA1CT-ND
  别名：IPB010N06N-ND
  IPB010N06NATMA1CT
  IPB010N06NCT
  IPB010N06NCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 110A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：STP150N10F7
  仓库库存编号：497-14570-5-ND
  别名：497-14570-5
  STP150N10F7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300A（Tc） 375W（Tc） PG-HSOF-8-1
  
  型号：IPT020N10N3ATMA1
  仓库库存编号：IPT020N10N3ATMA1CT-ND
  别名：IPT020N10N3ATMA1CT
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 79A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Ta），79A（Tc） 310W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP2532
  仓库库存编号：FDP2532-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 130A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 333W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP075N15A_F102
  仓库库存编号：FDP075N15A_F102-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300A（Tc） 375W（Tc） PG-HSOF-8-1
  
  型号：IPT015N10N5ATMA1
  仓库库存编号：IPT015N10N5ATMA1CT-ND
  别名：IPT015N10N5ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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