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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 13A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF6215STRLPBF
  仓库库存编号：IRF6215STRLPBFCT-ND
  别名：IRF6215STRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 53A（Tc） 3.8W（Ta），107W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ46NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRFZ46NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRFZ46NSTRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 24A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR24N15DTRPBF
  仓库库存编号：IRFR24N15DTRPBFCT-ND
  别名：IRFR24N15DTRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 49A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Tc） 166W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK9628-100A,118
  仓库库存编号：1727-7194-1-ND
  别名：1727-7194-1
  568-9683-1
  568-9683-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 53A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 53A（Tc） 100W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP16CN10NGXKSA1
  仓库库存编号：IPP16CN10NGXKSA1-ND
  别名：IPP16CN10N G
  IPP16CN10N G-ND
  IPP16CN10NG
  IPP16CN10NGIN
  IPP16CN10NGIN-ND
  IPP16CN10NGX
  IPP16CN10NGXK
  SP000680880
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 48A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ44ESTRLPBF
  仓库库存编号：IRFZ44ESTRLPBFCT-ND
  别名：IRFZ44ESTRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 272W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN1R8-40YLC,115
  仓库库存编号：1727-1052-1-ND
  别名：1727-1052-1
  568-10156-1
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  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 63A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 63A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK7620-100A,118
  仓库库存编号：1727-7166-1-ND
  别名：1727-7166-1
  568-9651-1
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  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 40V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 208W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：IRFS7440TRLPBF
  仓库库存编号：IRFS7440TRLPBFCT-ND
  别名：IRFS7440TRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S209ATMA2
  仓库库存编号：IPB80N06S209ATMA2CT-ND
  别名：IPB80N06S209ATMA2CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 90A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3-313
  
  型号：IPD90P04P405ATMA1
  仓库库存编号：IPD90P04P405ATMA1CT-ND
  别名：IPD90P04P405ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 255W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK763R4-30B,118
  仓库库存编号：1727-5253-1-ND
  别名：1727-5253-1
  568-6577-1
  568-6577-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD06N03LB G
  仓库库存编号：IPD06N03LBGINCT-ND
  别名：IPD06N03LBG
  IPD06N03LBGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 58A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB123N10N3 G
  仓库库存编号：IPB123N10N3 GCT-ND
  别名：IPB123N10N3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 57A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3710STRLPBF
  仓库库存编号：IRF3710STRLPBFCT-ND
  别名：IRF3710STRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN8R7-80BS,118
  仓库库存编号：1727-7217-1-ND
  别名：1727-7217-1
  568-9708-1
  568-9708-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 150V 45.1A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 45.1A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
  
  型号：PHB45NQ15T,118
  仓库库存编号：1727-3057-1-ND
  别名：1727-3057-1
  568-2192-1
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  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 76A（Tc） 125W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：IRFS7787TRLPBF
  仓库库存编号：IRFS7787TRLPBFCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 263W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK664R8-75C,118
  仓库库存编号：1727-5527-1-ND
  别名：1727-5527-1
  568-7006-1
  568-7006-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 182W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK764R0-40E,118
  仓库库存编号：1727-7253-1-ND
  别名：1727-7253-1
  568-9882-1
  568-9882-1-ND
  
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  MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 115W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB100N04S4H2ATMA1
  仓库库存编号：IPB100N04S4H2ATMA1CT-ND
  别名：IPB100N04S4H2ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 211W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN2R0-30BL,118
  仓库库存编号：1727-7113-1-ND
  别名：1727-7113-1
  568-9483-1
  568-9483-1-ND
  
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  MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 210W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N06S2L07AKSA2
  仓库库存编号：IPP80N06S2L07AKSA2-ND
  别名：SP001067894
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB04N03LAT
  仓库库存编号：IPB04N03LAXTINCT-ND
  别名：IPB04N03LAXTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB04N03LA
  仓库库存编号：IPB04N03LAINCT-ND
  别名：IPB04N03LAINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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