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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 65A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 65A（Tc） 3.75W（Ta），375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM65N20-30-E3
  仓库库存编号：SUM65N20-30-E3CT-ND
  别名：SUM65N20-30-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 650V 30A TO247-3
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 60A 258W Through Hole TO-247 Long Leads
  
  型号：STGWA30M65DF2
  仓库库存编号：497-15842-5-ND
  别名：497-15842-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1200V 50A 428W TO247-3
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 50A 428W Through Hole TO-247 Long Leads
  
  型号：FGH25T120SMD_F155
  仓库库存编号：FGH25T120SMD_F155-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 231W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FDI030N06
  仓库库存编号：FDI030N06-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 40V 300A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 300A（Tc） 480W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP300N04T2
  仓库库存编号：IXTP300N04T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 315W（Tc） H2PAK
  
  型号：STH185N10F3-2
  仓库库存编号：497-15311-1-ND
  别名：497-15311-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 315W（Tc） H2PAK-6
  
  型号：STH185N10F3-6
  仓库库存编号：497-15469-1-ND
  别名：497-15469-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 80A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 310W（Tc） TO-247
  
  型号：FDH047AN08A0
  仓库库存编号：FDH047AN08A0FS-ND
  别名：FDH047AN08A0-ND
  FDH047AN08A0FS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 90A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 375W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA90N15_F109
  仓库库存编号：FQA90N15_F109-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 76A 268W TO247AC
  详细描述：IGBT 600V 76A 268W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRGP4650DPBF
  仓库库存编号：IRGP4650DPBF-ND
  别名：SP001535760
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 1200V 15A TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 30A 259W Through Hole TO-247-3
  
  型号：STGW15S120DF3
  仓库库存编号：497-15625-5-ND
  别名：497-15625-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 75V 180A H2PAK-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） H2PAK
  
  型号：STH240N75F3-2
  仓库库存编号：497-13271-1-ND
  别名：497-13271-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 15A TO247-3L
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 30A 259W Through Hole TO-247-3
  
  型号：STGWA15S120DF3
  仓库库存编号：497-15626-5-ND
  别名：497-15626-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole TO-3P
  
  型号：STGWT80H65DFB
  仓库库存编号：497-14234-5-ND
  别名：497-14234-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 650V 120A 469W TO-247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole TO-247-3
  
  型号：STGW80H65FB
  仓库库存编号：497-15134-5-ND
  别名：497-15134-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT HB 1200V 25A HS TO247-3
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 50A 375W Through Hole TO-247-3
  
  型号：STGWA25H120DF2
  仓库库存编号：497-15548-5-ND
  别名：497-15548-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT 600V 100A 330W TO247AD
  详细描述：IGBT 600V 100A 330W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IRGP4660D-EPBF
  仓库库存编号：IRGP4660D-EPBF-ND
  别名：IRGP4660DEPBF
  SP001548232
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 25A TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 50A 375W Through Hole TO-247-3
  
  型号：STGW25S120DF3
  仓库库存编号：497-15627-5-ND
  别名：497-15627-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 25A TO247-3L
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 50A 375W Through Hole TO-247-3
  
  型号：STGWA25S120DF3
  仓库库存编号：497-15628-5-ND
  别名：497-15628-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 650V 240A 882W TO-247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 240A 882W Through Hole PowerTO-247-3
  
  型号：FGY120T65SPD_F085
  仓库库存编号：FGY120T65SPD_F085-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 140A MAX247
  详细描述：通孔 N 沟道 140A（Tc） 450W（Tc） MAX247?
  
  型号：STY140NS10
  仓库库存编号：497-3267-5-ND
  别名：497-3267-5
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  650V FS GEN3 TRENCH IGBT
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 240A 882W Through Hole TO-247
  
  型号：FGY160T65SPD_F085
  仓库库存编号：FGY160T65SPD_F085-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT 600V 240A 750W SUPER247
  详细描述：IGBT 600V 240A 750W Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
  
  型号：IRGPS46160DPBF
  仓库库存编号：IRGPS46160DPBF-ND
  别名：SP001545270
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 188A 1150W TO264
  详细描述：IGBT 1200V 188A 1150W Through Hole TO-264 (IXYK)
  
  型号：IXYK100N120C3
  仓库库存编号：IXYK100N120C3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOD SBD BRIDGE 600V 10A SOT227
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 10A Chassis Mount SOT-227
  
  型号：GHXS010A060S-D1E
  仓库库存编号：1560-1136-5-ND
  别名：1560-1136
  1560-1136-5
  1560-1136-ND
  GHXS010A060SD1E
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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