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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB80NF10T4
  仓库库存编号：497-2489-1-ND
  别名：497-2489-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 48A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 180W（Tc） TO-247
  
  型号：FQH44N10_F133
  仓库库存编号：FQH44N10_F133FS-ND
  别名：FQH44N10_F133-ND
  FQH44N10_F133FS
  FQH44N10F133
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 80V 90A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 200W（Tc） H2Pak-2
  
  型号：STH145N8F7-2AG
  仓库库存编号：497-16315-1-ND
  别名：497-16315-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） DPAK
  
  型号：STD120N4LF6
  仓库库存编号：497-11097-1-ND
  别名：497-11097-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） DPAK
  
  型号：STD120N4F6
  仓库库存编号：497-10781-1-ND
  别名：497-10781-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB75NF75T4
  仓库库存编号：497-15666-1-ND
  别名：497-15666-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SQM40010EL_GE3
  仓库库存编号：SQM40010EL_GE3CT-ND
  别名：SQM40010EL_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 95A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 95A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM90142E_GE3
  仓库库存编号：SQM90142E_GE3CT-ND
  别名：SQM90142E_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SQM40031EL_GE3
  仓库库存编号：SQM40031EL_GE3CT-ND
  别名：SQM40031EL_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 40A 167W TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 40A 167W Through Hole TO-247
  
  型号：STGW20V60F
  仓库库存编号：497-13959-5-ND
  别名：497-13959-5
  STGW20V60F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 40A 52W TO3PF
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 40A 52W Through Hole TO-3PF
  
  型号：STGFW20V60F
  仓库库存编号：497-13954-5-ND
  别名：497-13954-5
  STGFW20V60F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 300V 19A TO262
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 210W（Tc） TO-262-3
  
  型号：AUIRFSL6535
  仓库库存编号：AUIRFSL6535-ND
  别名：SP001522854
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 40A 37W TO220FP
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 40A 37W Through Hole TO-220FP
  
  型号：STGF20H60DF
  仓库库存编号：497-13758-5-ND
  别名：497-13758-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 254W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB8160_F085
  仓库库存编号：FDB8160_F085CT-ND
  别名：FDB8160_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 120A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），120A（Tc） 188W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB8443
  仓库库存编号：FDB8443CT-ND
  别名：FDB8443CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Ta），80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB8832
  仓库库存编号：FDB8832CT-ND
  别名：FDB8832CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT 650V 30A 260W TO-247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 30A 260W Through Hole TO-247
  
  型号：STGW30H65FB
  仓库库存编号：497-14467-5-ND
  别名：497-14467-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 30A TO-220F
  详细描述：通孔 P 沟道 30A（Tc） 62W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
  
  型号：FQPF47P06YDTU
  仓库库存编号：FQPF47P06YDTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  T6 40V MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Ta）, 300A（Tc） 3.9W（Ta）, 166W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS5C410NT1G
  仓库库存编号：NTMFS5C410NT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS5C410NT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 325W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUF75345S3ST
  仓库库存编号：HUF75345S3STCT-ND
  别名：HUF75345S3STCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 75A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 360W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP75N10P
  仓库库存编号：IXTP75N10P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB100NF04T4
  仓库库存编号：497-5951-1-ND
  别名：497-5951-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 43A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 43A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
  
  型号：HUF75842P3
  仓库库存编号：HUF75842P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 12A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB3632_F085
  仓库库存编号：FDB3632_F085CT-ND
  别名：FDB3632_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 60A 258W D2PAK
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 60A 258W Surface Mount D2PAK
  
  型号：STGB30V60DF
  仓库库存编号：497-15120-1-ND
  别名：497-15120-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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