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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 180W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUF76439S3ST
  仓库库存编号：HUF76439S3STCT-ND
  别名：HUF76439S3STCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  IGBT 650V 20A TO220
  详细描述：IGBT 650V 40A 227W Through Hole TO-220
  
  型号：AOT20B65M1
  仓库库存编号：785-1764-ND
  别名：785-1764
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CHAN 80V TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SQD50P08-25L_GE3
  仓库库存编号：SQD50P08-25L_GE3CT-ND
  别名：SQD50P08-25L_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 100V 51A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 51A（Tc） 180W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUF76639S3ST_F085
  仓库库存编号：HUF76639S3ST_F085CT-ND
  别名：HUF76639S3ST_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 176W（Tj） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB86566_F085
  仓库库存编号：FDB86566_F085CT-ND
  别名：FDB86566_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta） 254W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB8442_F085
  仓库库存编号：FDB8442_F085CT-ND
  别名：FDB8442_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB75NF75LT4
  仓库库存编号：497-3514-1-ND
  别名：497-3514-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 80V 130A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 130A（Tc） 4.8W（Ta）, 135W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL135N8F7AG
  仓库库存编号：497-16318-1-ND
  别名：497-16318-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 17.3A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 17.3A（Tc） 7.14W（Tc） 8-SO
  
  型号：SQ4401EY-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ4401EY-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ4401EY-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 60A 260W Surface Mount D2PAK
  
  型号：STGB30H60DLFB
  仓库库存编号：497-16508-1-ND
  别名：497-16508-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 59A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
  
  型号：AUIRF3710Z
  仓库库存编号：AUIRF3710Z-ND
  别名：SP001522092
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 34A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Ta） 300W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB8832_F085
  仓库库存编号：FDB8832_F085CT-ND
  别名：FDB8832_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 84A TO220-3-31
  详细描述：通孔 N 沟道 84A（Tc） 41W（Tc） PG-TO220-3-31 整包
  
  型号：IPA032N06N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPA032N06N3GXKSA1-ND
  别名：IPA032N06N3 G
  IPA032N06N3 G-ND
  IPA032N06N3G
  SP000453608
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 100A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 227W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD9407_F085
  仓库库存编号：FDD9407_F085CT-ND
  别名：FDD9407_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD95N04
  仓库库存编号：497-5106-1-ND
  别名：497-5106-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB155N3H6
  仓库库存编号：497-11322-1-ND
  别名：497-11322-1
  497-11322-5
  497-11322-5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI024N06N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPI024N06N3GXKSA1-ND
  别名：SP000680644
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 12A PWRFLAT5X6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Tc） 5W（Ta），72W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL60N10F7
  仓库库存编号：497-13879-1-ND
  别名：497-13879-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT 650V 10A D2PAK
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 20A 115W Surface Mount D2PAK
  
  型号：STGB10M65DF2
  仓库库存编号：497-15844-1-ND
  别名：497-15844-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 255W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP3651U
  仓库库存编号：FDP3651U-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 3.75W（Ta），250W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM90N03-2M2P-E3
  仓库库存编号：SUM90N03-2M2P-E3CT-ND
  别名：SUM90N03-2M2P-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT 600V 60A 258W TO220AB
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 60A 258W Through Hole TO-220
  
  型号：STGP30V60DF
  仓库库存编号：497-13762-5-ND
  别名：497-13762-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1250V 20A 250W TO-3PN
  详细描述：IGBT Trench 1250V 40A 250W Through Hole TO-3PN
  
  型号：FGA20S125P_SN00336
  仓库库存编号：FGA20S125P_SN00336-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 160A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：AUIRF1404Z
  仓库库存编号：AUIRF1404Z-ND
  别名：SP001520218
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 330V 18A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB18NF30
  仓库库存编号：497-12970-1-ND
  别名：497-12970-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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