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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 19A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），93A（Tc） 80W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB8896_F085
  仓库库存编号：FDB8896_F085CT-ND
  别名：FDB8896_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Littelfuse Inc.
  IGBT 440V 15A 107W D2PAK3
  详细描述：IGBT 440V 15A 107W Surface Mount D2PAK
  
  型号：NGB15N41ACLT4G
  仓库库存编号：NGB15N41ACLT4GOSCT-ND
  别名：NGB15N41ACLT4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Littelfuse Inc.
  IGBT 490V 20A 150W D2PAK3
  详细描述：IGBT 500V 20A 150W Surface Mount D2PAK
  
  型号：NGB8245NT4G
  仓库库存编号：NGB8245NT4GOSCT-ND
  别名：NGB8245NT4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 60V 173A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 173A（Tc） 230W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：IRFS7537TRLPBF
  仓库库存编号：IRFS7537TRLPBFCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），93A（Tc） 80W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB8896
  仓库库存编号：FDB8896CT-ND
  别名：FDB8896CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 31V 40V TO263 T&R
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 4.7W（Ta）, 136W（Tc） TO-263AB
  
  型号：DMTH4004SCTB-13
  仓库库存编号：DMTH4004SCTB-13DICT-ND
  别名：DMTH4004SCTB-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 29A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Tc） 100W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUF76419S3ST_F085
  仓库库存编号：HUF76419S3ST_F085CT-ND
  别名：HUF76419S3ST_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 100W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP100N08N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP100N08N3GXKSA1-ND
  别名：IPP100N08N3 G
  IPP100N08N3 G-ND
  IPP100N08N3G
  SP000680856
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 14A 88W D2PAK
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 14A 88W Surface Mount TO-263 (D2Pak)
  
  型号：STGB7H60DF
  仓库库存编号：497-16037-1-ND
  别名：497-16037-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 21A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 26W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FDPF320N06L
  仓库库存编号：FDPF320N06L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB55NF06T4
  仓库库存编号：497-6553-1-ND
  别名：497-6553-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  IGBT 650V 10A TO220
  详细描述：IGBT 650V 20A 150W Through Hole TO-220
  
  型号：AOT10B65M1
  仓库库存编号：785-1761-ND
  别名：785-1761
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 69A（Tc） 125W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP12CN10LGXKSA1
  仓库库存编号：IPP12CN10LGXKSA1-ND
  别名：IPP12CN10L G
  IPP12CN10L G-ND
  IPP12CN10LG
  SP000680864
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 27.5A（Ta） 120W（Tj） D2PAK
  
  型号：NTB25P06T4G
  仓库库存编号：NTB25P06T4GOSCT-ND
  别名：NTB25P06T4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 150W（Tc） H2Pak-2
  
  型号：STH160N4LF6-2
  仓库库存编号：497-15466-1-ND
  别名：497-15466-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 188W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI040N06N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPI040N06N3GXKSA1-ND
  别名：SP000680656
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI086N10N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPI086N10N3GXKSA1-ND
  别名：IPI086N10N3 G
  IPI086N10N3 G-ND
  IPI086N10N3G
  SP000485982
  SP000683070
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），50A（Tc） 153W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD8444L_F085
  仓库库存编号：FDD8444L_F085CT-ND
  别名：FDD8444L_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF530STRLPBF
  仓库库存编号：IRF530STRLPBFCT-ND
  别名：IRF530STRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  IGBT 650V 10A TO220
  详细描述：IGBT 650V 20A 150W Through Hole TO-220
  
  型号：AOT10B65M2
  仓库库存编号：785-1762-ND
  别名：785-1762
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 24A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），50A（Tc） 3.7W（Ta），65W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD6770A
  仓库库存编号：FDD6770ACT-ND
  别名：FDD6770ACT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 43.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 43.5A（Tc） 3.75W（Ta），146W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB44N10TM
  仓库库存编号：FQB44N10TMCT-ND
  别名：FQB44N10TMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Littelfuse Inc.
  IGBT 390V 20A 125W DPAK-3
  详细描述：IGBT 390V 20A 125W Surface Mount DPAK-3
  
  型号：NGD8205ANT4G
  仓库库存编号：NGD8205ANT4GOSCT-ND
  别名：NGD8205ANT4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 13A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS6679
  仓库库存编号：FDS6679CT-ND
  别名：FDS6679CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 167W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP023N04NGXKSA1
  仓库库存编号：IPP023N04NGXKSA1-ND
  别名：IPP023N04N G
  IPP023N04N G-ND
  IPP023N04NGBKSA1
  SP000680762
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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