产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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IXYS
IGBT 1200V 100A 750W TO247AD
详细描述:IGBT 1200V 100A 750W Through Hole TO-247 (IXYH)
型号:
IXYH50N120C3
仓库库存编号:
IXYH50N120C3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 120A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 700W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK120N25P
仓库库存编号:
IXTK120N25P-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT 650V 310A 940W TO264
详细描述:IGBT PT 650V 310A 940W Through Hole TO-264 (IXXK)
型号:
IXXK160N65B4
仓库库存编号:
IXXK160N65B4-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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IXYS
IGBT 650V 370A 1150W PLUS247
详细描述:IGBT PT 650V 370A 1150W Through Hole PLUS247?-3
型号:
IXXX200N65B4
仓库库存编号:
IXXX200N65B4-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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IXYS
IGBT 650V 370A 1150W TO264
详细描述:IGBT PT 650V 370A 1150W Through Hole TO-264 (IXXK)
型号:
IXXK200N65B4
仓库库存编号:
IXXK200N65B4-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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IXYS
IGBT XPT 650V 166A SOT-227B
详细描述:IGBT Module PT Single 650V 166A 600W Chassis, Stud Mount SOT-227B
型号:
IXYN100N65C3H1
仓库库存编号:
IXYN100N65C3H1-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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IXYS
IGBT XPT 1200V 152A SOT-227B
详细描述:IGBT Module Single 1200V 152A 830W Chassis Mount SOT-227B
型号:
IXYN100N120C3
仓库库存编号:
IXYN100N120C3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 110A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 180W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP110N055T2
仓库库存编号:
IXTP110N055T2-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 90A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 180W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA90N075T2
仓库库存编号:
IXTA90N075T2-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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IXYS
IGBT 650V 30A 160W TO-220
详细描述:IGBT PT 650V 30A 160W Through Hole TO-220
型号:
IXYP10N65C3D1
仓库库存编号:
IXYP10N65C3D1-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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IXYS
IGBT 650V 60A 270W TO247
详细描述:IGBT PT 650V 60A 270W Through Hole TO-247 (IXYH)
型号:
IXYH30N65C3H1
仓库库存编号:
IXYH30N65C3H1-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 140A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 140A(Tc) 600W(Tc) TO-268
型号:
IXTT140N10P
仓库库存编号:
IXTT140N10P-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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IXYS
MOSFET N-CH 170V 320A TO264
详细描述:通孔 N 沟道 320A(Tc) 1670W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK320N17T2
仓库库存编号:
IXFK320N17T2-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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IXYS
DIODE SCHOTTKY 600V ISOPLUS-5
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 11A Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
型号:
FBS16-06SC
仓库库存编号:
FBS16-06SC-ND
别名:FBS1606SC
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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IXYS
60V/220A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE
详细描述:通孔 N 沟道 220A(Tc) 440W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP220N06T3
仓库库存编号:
IXFP220N06T3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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IXYS
40V/270A TRENCH T POWER MOSFET,
详细描述:表面贴装 N 沟道 270A(Tc) 375W(Tc) TO-263-7
型号:
IXTA270N04T4-7
仓库库存编号:
IXTA270N04T4-7-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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IXYS
60V/220A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE
详细描述:表面贴装 N 沟道 220A(Tc) 440W(Tc) TO-263
型号:
IXFA220N06T3
仓库库存编号:
IXFA220N06T3-ND
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IXYS
120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 517W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP110N12T2
仓库库存编号:
IXTP110N12T2-ND
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IXYS
60V/270A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE
详细描述:通孔 N 沟道 270A(Tc) 480W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP270N06T3
仓库库存编号:
IXFP270N06T3-ND
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IXYS
60V/270A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE
详细描述:表面贴装 N 沟道 270A(Tc) 480W(Tc) TO-263AA
型号:
IXFA270N06T3
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产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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120V/140A TRENCHT2 POWER MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 140A(Tc) 577W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP140N12T2
仓库库存编号:
IXTP140N12T2-ND
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IXYS
120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 517W(Tc) TO-263AA
型号:
IXTA110N12T2
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120V/140A TRENCHT2 POWER MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 140A(Tc) 577W(Tc) TO-263AA
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IXTA140N12T2
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IXYS
60V/220A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE
详细描述:通孔 N 沟道 220A(Tc) 440W(Tc) TO-247
型号:
IXFH220N06T3
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IXFH220N06T3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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详细描述:通孔 N 沟道 270A(Tc) 480W(Tc) TO-247
型号:
IXFH270N06T3
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