产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),48W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7139DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7139DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7139DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 9.9A(Tc) 42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9020TRPBF
仓库库存编号:
IRFR9020PBFCT-ND
别名:*IRFR9020TRPBF
IRFR9020PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS892DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS892DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS892DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 35A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS443DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS443DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS443DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.7A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4401BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4401BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4401BDY-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.7A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
SI4896DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4896DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4896DY-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 35A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7615DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7615DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7615DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.2A(Ta) 1.8W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7850DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7850DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7850DP-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.7A(Tc) 50W(Tc) DPAK
型号:
IRFR9214TRPBF
仓库库存编号:
IRFR9214TRPBFCT-ND
别名:IRFR9214TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.7A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7456DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7456DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7456DP-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.7A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7456DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7456DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7456DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 10A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4421DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4421DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4421DY-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7460DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7460DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7460DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 5.2W(Ta),69W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR800DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR800DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR800DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 5A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号:
SI7913DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7913DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7913DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 5W(Ta),62.5W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7852ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7852ADP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7852ADP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),62.5W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR876ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR876ADP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR876ADP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7898DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7898DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7898DP-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 27.2A(Tc) 3W(Ta),6W(Tc) 8-SO
型号:
SI4122DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4122DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4122DY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.2A(Ta) 1.05W(Ta) 8-TSSOP
型号:
SI6423DQ-T1-GE3
仓库库存编号:
SI6423DQ-T1-GE3CT-ND
别名:SI6423DQ-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 3.4A 1212-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3.4A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号:
SI7220DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7220DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7220DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4966DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4966DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4966DY-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4378DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4378DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4378DY-T1-E3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Tc) 5.4W(Ta),96W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7148DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7148DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7148DP-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.6A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7852DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7852DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7852DP-T1-E3CT
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