产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 4A SOT-363
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 2.8W(Tc) SOT-363
型号:
SI1414DH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1414DH-T1-GE3CT-ND
别名:SI1414DH-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SC89-6
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 370mA 250mW Surface Mount SC-89-6
型号:
SI1023X-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1023X-T1-GE3CT-ND
别名:SI1023X-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 8V MICROFOOT
详细描述:表面贴装 N 沟道 500mW(Ta) 4-Microfoot
型号:
SI8802DB-T2-E1
仓库库存编号:
SI8802DB-T2-E1CT-ND
别名:SI8802DB-T2-E1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 3.8A TSOP-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.8A(Tc) 3.6W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3474DV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3474DV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3474DV-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SC89-6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 180mA 250mW Surface Mount SC-89-6
型号:
SI1034X-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1034X-T1-GE3CT-ND
别名:SI1034X-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V MICROFOOT
详细描述:表面贴装 N 沟道 500mW(Ta) 4-Microfoot
型号:
SI8808DB-T2-E1
仓库库存编号:
SI8808DB-T2-E1CT-ND
别名:SI8808DB-T2-E1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 1.56W(Ta),2.8W(Tc) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1422DH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1422DH-T1-GE3CT-ND
别名:SI1422DH-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6L
详细描述:表面贴装 P 沟道 9A(Tc) 2.4W(Ta),13W(Tc) PowerPAK? SC-75-6L 单
型号:
SIB441EDK-T1-GE3
仓库库存编号:
SIB441EDK-T1-GE3CT-ND
别名:SIB441EDK-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 20V SC89-6
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 485mA, 370mA 250mW Surface Mount SC-89-6
型号:
SI1016X-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1016X-T1-GE3CT-ND
别名:SI1016X-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA447DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA447DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA447DJ-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 12V SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 5A(Tc) 2W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SQ2315ES-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2315ES-T1_GE3CT-ND
别名:SQ2315ES-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 60V SC89-6
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 60V 305mA, 190mA 250mW Surface Mount SC-89-6
型号:
SI1029X-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1029X-T1-GE3CT-ND
别名:SI1029X-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 4.5A SC-70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.5A(Tc) 1.9W(Ta),6.5W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 双
型号:
SIA817EDJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA817EDJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA817EDJ-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 8V 3.6A MICROFOOT
详细描述:表面贴装 N 沟道 780mW(Ta),1.8W(Tc) 4-Microfoot
型号:
SI8466EDB-T2-E1
仓库库存编号:
SI8466EDB-T2-E1CT-ND
别名:SI8466EDB-T2-E1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 8V 1.34A SC-89-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.34A(Ta) 236mW(Ta) SC-89-6
型号:
SI1050X-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1050X-T1-GE3CT-ND
别名:SI1050X-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 6.3A SC75-6L
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.3A(Tc) 2.4W(Ta),13W(Tc) PowerPAK? SC-75-6L 单
型号:
SIB456DK-T1-GE3
仓库库存编号:
SIB456DK-T1-GE3CT-ND
别名:SIB456DK-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 2.6A SOT-363
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.6A(Tc) 1.5W(Ta),2.8W(Tc) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1480DH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1480DH-T1-GE3CT-ND
别名:SI1480DH-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Tc) 2.5W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2399DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2399DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2399DS-T1-GE3CT
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MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6-TSOP
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.9A 1.4W Surface Mount 6-TSOP
型号:
SI3993CDV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3993CDV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3993CDV-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 8A TSOP-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Tc) 2W(Ta),4.2W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3421DV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3421DV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3421DV-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 3A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2318DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2318DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2318DS-T1-GE3CT
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MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.7A(Tc) 1.3W(Ta),2.8W(Tc) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5855CDC-T1-E3
仓库库存编号:
SI5855CDC-T1-E3CT-ND
别名:SI5855CDC-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6L
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
型号:
SIA931DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA931DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA931DJ-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.1A(Tc) 1.25W(Ta),2.5W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2392ADS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2392ADS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2392ADS-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 5A(Ta) 1.14W(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3469DV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3469DV-T1-E3CT-ND
别名:SI3469DV-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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