产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
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IXYS
IGBT 1200V 50A 250W TO220
详细描述:IGBT Through Hole TO-220AB
型号:
IXGP28N120B
仓库库存编号:
IXGP28N120B-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
无铅
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IXYS
IGBT 1000V 24A 100W TO220AB
详细描述:IGBT Through Hole TO-220AB
型号:
IXGP12N100AU1
仓库库存编号:
IXGP12N100AU1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
无铅
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STMicroelectronics
DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO220
详细描述:Diode Array 1 Pair Series Connection Silicon Carbide Schottky 6A Through Hole TO-220-3
型号:
STPSC6TH13TI
仓库库存编号:
497-14199-5-ND
别名:497-14199-5
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 500W(Tc) TO-220
型号:
IXFP30N60X
仓库库存编号:
IXFP30N60X-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 3.6A(Tc) 100W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP3N80
仓库库存编号:
IXFP3N80-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 230A
详细描述:通孔 N 沟道 230A(Tc) 480W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP230N075T2
仓库库存编号:
IXFP230N075T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 24A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) TO-220AB
型号:
IXKP24N60C5
仓库库存编号:
IXKP24N60C5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 31A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 31A(Tc) 117W(Tc) PG-TO220-3
型号:
IPP60R099P7XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R099P7XKSA1-ND
别名:SP001647032
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 3.6A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBF30
仓库库存编号:
IRFBF30-ND
别名:*IRFBF30
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
含铅
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IXYS
IGBT 1600V 5.7A 68W TO220AB
详细描述:IGBT Through Hole TO-247AD
型号:
IXBP5N160G
仓库库存编号:
IXBP5N160G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 40A 190W TO220
详细描述:IGBT Through Hole TO-220AB
型号:
IXGP20N120BD1
仓库库存编号:
IXGP20N120BD1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 48A 250W TO220
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-220AB
型号:
IXGP24N120C3
仓库库存编号:
IXGP24N120C3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 30A 150W TO220AB
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-220AB
型号:
IXGP15N120B
仓库库存编号:
IXGP15N120B-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 32A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 32A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP32P20T
仓库库存编号:
IXTP32P20T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 75A 500W TO220
详细描述:IGBT Through Hole TO-220AB
型号:
IXYP30N120C3
仓库库存编号:
IXYP30N120C3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 18A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 320W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP18N60X
仓库库存编号:
IXFP18N60X-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 40A 190W TO220
详细描述:IGBT Through Hole TO-220AB
型号:
IXGP20N120B
仓库库存编号:
IXGP20N120B-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 60A 250W TO220AB
详细描述:IGBT NPT Through Hole TO-220AB
型号:
IXDP35N60B
仓库库存编号:
IXDP35N60B-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 40A 150W TO220
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-220AB
型号:
IXGP20N120
仓库库存编号:
IXGP20N120-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
无铅
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IXYS
IGBT 1000V 30A 150W TO220AB
详细描述:IGBT Through Hole TO-220AB
型号:
IXGP15N100C
仓库库存编号:
IXGP15N100C-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 31.2A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 31.2A(Tc) 277.8W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R110CFDXKSA1
仓库库存编号:
IPP65R110CFDXKSA1-ND
别名:IPP65R110CFD
IPP65R110CFD-ND
SP000895226
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 37A(Tc) 129W(Tc) PG-TO220-3
型号:
IPP60R080P7XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R080P7XKSA1-ND
别名:SP001647034
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP3N110
仓库库存编号:
IXTP3N110-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 44A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 44A(Tc) 312W(Tc) TO-220
型号:
FCP067N65S3
仓库库存编号:
FCP067N65S3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 30.8A(Ta) 230W(Tc) TO-220
型号:
TK31E60W,S1VX
仓库库存编号:
TK31E60WS1VX-ND
别名:TK31E60W,S1VX(S
TK31E60WS1VX
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
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