产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-SOT223-4,
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Infineon Technologies
TRANS PNP DARL 80V 1A SOT-223
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80V 1A 200MHz 1.5W Surface Mount PG-SOT223-4
型号:
BSP62E6327HTSA1
仓库库存编号:
BSP62E6327HTSA1CT-ND
别名:BSP 62 E6327CT
BSP 62 E6327CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-SOT223-4,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PNP 80V 1A SOT-223
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 1A 125MHz 2W Surface Mount PG-SOT223-4
型号:
BCP 53-16 E6327
仓库库存编号:
BCP 53-16 E6327CT-ND
别名:BCP 53-16 E6327CT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-SOT223-4,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 400V 170MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 170mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP324H6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP324H6327XTSA1CT-ND
别名:BSP324H6327XTSA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-SOT223-4,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.8A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP373NH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP373NH6327XTSA1CT-ND
别名:BSP373NH6327XTSA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-SOT223-4,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 660mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP297H6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP297H6327XTSA1CT-ND
别名:BSP297H6327XTSA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-SOT223-4,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 0.4A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 400mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP299H6327XUSA1
仓库库存编号:
BSP299H6327XUSA1CT-ND
别名:BSP299H6327XUSA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-SOT223-4,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP613PH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP613PH6327XTSA1CT-ND
别名:BSP613PH6327XTSA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-SOT223-4,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 2.3A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 2.3A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP716NH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP716NH6327XTSA1-ND
别名:SP001087514
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-SOT223-4,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.2A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP296NH6433XTMA1
仓库库存编号:
BSP296NH6433XTMA1-ND
别名:SP001098610
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-SOT223-4,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 120mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP125H6433XTMA1
仓库库存编号:
BSP125H6433XTMA1-ND
别名:SP001058578
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-SOT223-4,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 980mA(Tc) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP321PH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP321PH6327XTSA1-ND
别名:SP001058782
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无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 240V 350mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP129H6906XTSA1
仓库库存编号:
BSP129H6906XTSA1-ND
别名:SP001058586
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-SOT223-4,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 400V 0.21A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 210mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP179H6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP179H6327XTSA1-ND
别名:SP001212770
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-SOT223-4,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 120mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP135H6906XTSA1
仓库库存编号:
BSP135H6906XTSA1-ND
别名:SP001058594
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-SOT223-4,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 370mA(Ta) 1.79W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP123L6327HTSA1
仓库库存编号:
BSP123L6327HTSA1CT-ND
别名:BSP123INCT
BSP123INCT-ND
BSP123L6327INCT
BSP123L6327INCT-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 240V 350mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP129E6327
仓库库存编号:
BSP129INCT-ND
别名:BSP129INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-SOT223-4,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 1.8A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP295E6327
仓库库存编号:
BSP295INCT-ND
别名:BSP295INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-SOT223-4,
含铅
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MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.1A(Ta) 1.79W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP296E6327
仓库库存编号:
BSP296INCT-ND
别名:BSP296INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-SOT223-4,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1.17A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP315P-E6327
仓库库存编号:
BSP315PINCT-ND
别名:BSP315PE6327
BSP315PINCT
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含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 240V 350mA(Ta) 1.7W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP88E6327
仓库库存编号:
BSP88INCT-ND
别名:BSP88INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-SOT223-4,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP170PE6327
仓库库存编号:
BSP170PE6327INCT-ND
别名:BSP170PE6327INCT
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含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP171PE6327
仓库库存编号:
BSP171PE6327INCT-ND
别名:BSP171PE6327INCT
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MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 680mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP316PE6327
仓库库存编号:
BSP316PE6327INCT-ND
别名:BSP316PE6327INCT
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含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 250V 430mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP317PE6327
仓库库存编号:
BSP317PE6327INCT-ND
别名:BSP317PE6327INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-SOT223-4,
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Infineon Technologies
TRANS NPN RF 15V 150MA SOT223
详细描述:RF Transistor NPN 15V 150mA 6GHz 1W Surface Mount PG-SOT223-4
型号:
BFG135AE6327XT
仓库库存编号:
BFG135AE6327XTTR-ND
别名:BFG 135A E6327
BFG135AE6327
BFG135AE6327-ND
BFG135AE6327T
BFG135AE6327T-ND
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