产品分类：分立半导体产品,规格：电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 160MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR166WE6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR166WE6327HTSA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 166W E6327
BCR 166W E6327-ND
BCR166WE6327
BCR166WE6327XT
SP000012875
产品分类：分立半导体产品,规格：电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 169F E6327
仓库库存编号：
BCR 169F E6327-ND
别名：BCR169FE6327XT
SP000014447
产品分类：分立半导体产品,规格：电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 169L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 169L3 E6327-ND
别名：BCR169L3E6327T
SP000014871
产品分类：分立半导体产品,规格：电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k,
含铅
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Infineon Technologies
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR169SE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR169SE6327BTSA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 169S E6327
BCR 169S E6327-ND
BCR169SE6327XT
SP000012272
产品分类：分立半导体产品,规格：电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 169T E6327
仓库库存编号：
BCR 169T E6327-ND
别名：BCR169TE6327XT
SP000014767
产品分类：分立半导体产品,规格：电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR169WE6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR169WE6327HTSA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 169W E6327
BCR 169W E6327-ND
BCR169WE6327
SP000012271
产品分类：分立半导体产品,规格：电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 300MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 100MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR 512 B6327
仓库库存编号：
BCR 512 B6327-ND
别名：BCR512B6327XT
SP000056341
产品分类：分立半导体产品,规格：电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 300MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 100MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR 519 E6327
仓库库存编号：
BCR 519 E6327-ND
别名：BCR519E6327XT
SP000015052
产品分类：分立半导体产品,规格：电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 300MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 150MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR 569 E6327
仓库库存编号：
BCR 569 E6327-ND
别名：BCR569E6327XT
SP000015053
产品分类：分立半导体产品,规格：电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTA143TS,126
仓库库存编号：
PDTA143TS,126-ND
别名：934057562126
PDTA143TS AMO
PDTA143TS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTA143XS,126
仓库库存编号：
PDTA143XS,126-ND
别名：934057563126
PDTA143XS AMO
PDTA143XS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTA143ZS,126
仓库库存编号：
PDTA143ZS,126-ND
别名：934057564126
PDTA143ZS AMO
PDTA143ZS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC143TS,126
仓库库存编号：
PDTC143TS,126-ND
别名：934057572126
PDTC143TS AMO
PDTC143TS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC143XS,126
仓库库存编号：
PDTC143XS,126-ND
别名：934057573126
PDTC143XS AMO
PDTC143XS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k,
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC143ZS,126
仓库库存编号：
PDTC143ZS,126-ND
别名：934057574126
PDTC143ZS AMO
PDTC143ZS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k,
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
PDTA143ZK,135
仓库库存编号：
PDTA143ZK,135-ND
别名：934054805135
产品分类：分立半导体产品,规格：电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k,
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR 116S E6727
仓库库存编号：
BCR 116S E6727-ND
别名：SP000679396
产品分类：分立半导体产品,规格：电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k,
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR 116S H6727
仓库库存编号：
BCR 116S H6727-ND
别名：SP000752048
产品分类：分立半导体产品,规格：电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k,
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