产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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分立半导体产品
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IXYS
IGBT 600V 75A 300W TO264
详细描述：IGBT 600V 75A 300W Through Hole TO-264 (IXGK)
型号：
IXGK50N60B
仓库库存编号：
IXGK50N60B-ND
别名：Q1144124
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 75A 300W TO247
详细描述：IGBT 600V 75A 300W Through Hole TO-247AD
型号：
IXGX50N60AU1
仓库库存编号：
IXGX50N60AU1-ND
别名：Q1168121
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT UFAST 600V 100A SOT227
详细描述：IGBT Module Single 600V 200A 500W Chassis Mount SOT-227B
型号：
GA200SA60U
仓库库存编号：
GA200SA60U-ND
别名：*GA200SA60U
VS-GA200SA60U
VS-GA200SA60U-ND
VSGA200SA60U
VSGA200SA60U-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
含铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT STD 600V 100A SOT227
详细描述：IGBT Module Single 600V 200A 630W Chassis Mount SOT-227B
型号：
GA200SA60S
仓库库存编号：
GA200SA60S-ND
别名：*GA200SA60S
VS-GA200SA60S
VS-GA200SA60S-ND
VSGA200SA60S
VSGA200SA60S-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
含铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT WARP 600V 114A MTP
详细描述：IGBT Module PT Half Bridge 600V 114A 658W Chassis Mount 12-MTP
型号：
50MT060WH
仓库库存编号：
50MT060WH-ND
别名：*50MT060WH
VS-50MT060WH
VS-50MT060WH-ND
VS50MT060WH
VS50MT060WH-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
含铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT UFAST 600V 100A MTP
详细描述：IGBT Module Single 600V 100A 445W Chassis Mount 10-MTP
型号：
50MT060ULS
仓库库存编号：
50MT060ULS-ND
别名：*50MT060ULS
VS-50MT060ULS
VS-50MT060ULS-ND
VS50MT060ULS
VS50MT060ULS-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
含铅
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IXYS
IGBT LO VOLT 600V 75AMP TO-204AE
详细描述：IGBT Module Single 600V 75A 250W Chassis Mount TO-204
型号：
IXGM40N60A
仓库库存编号：
IXGM40N60A-ND
别名：Q1516356
Q5828005
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 75A 300W TO247AD
详细描述：IGBT 600V 75A 300W Through Hole TO-247AD (IXSH)
型号：
IXSH40N60A
仓库库存编号：
IXSH40N60A-ND
别名：Q1507012A
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 6A 25W TO220FP
详细描述：IGBT 600V 6A 25W Through Hole TO-220FP
型号：
STGF3NB60FD
仓库库存编号：
497-2651-5-ND
别名：497-2651-5
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
含铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 6A 68W TO220
详细描述：IGBT 600V 6A 68W Through Hole TO-220AB
型号：
STGP3NB60FD
仓库库存编号：
497-2652-5-ND
别名：497-2652-5
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 6A 68W TO220
详细描述：IGBT 600V 6A 68W Through Hole TO-220AB
型号：
STGP3NB60F
仓库库存编号：
497-2653-5-ND
别名：497-2653-5
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 50A 170W TO247
详细描述：IGBT 600V 50A 170W Through Hole TO-247-3
型号：
STGW20NB60KD
仓库库存编号：
497-2654-5-ND
别名：497-2654-5
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS NPN 600V 10A ISOWATT218
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 600V 10A 50W Through Hole ISOWATT-218
型号：
ST1802HI
仓库库存编号：
497-3150-5-ND
别名：497-3150-5
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 100A SOT-227B
详细描述：IGBT Module PT Single 600V 100A 250W Chassis Mount SOT-227B
型号：
IXGN60N60
仓库库存编号：
IXGN60N60-ND
别名：Q1892785
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 14A 80W TO220
详细描述：IGBT 600V 14A 80W Through Hole TO-220AB
型号：
STGP7NB60KD
仓库库存编号：
497-4112-5-ND
别名：497-4112-5
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 14A 80W D2PAK
详细描述：IGBT 600V 14A 80W Surface Mount D2PAK
型号：
STGB7NB60HDT4
仓库库存编号：
497-4107-1-ND
别名：497-4107-1
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 30A 125W D2PAK
详细描述：IGBT 600V 30A 125W Surface Mount D2PAK
型号：
STGB12NB60KDT4
仓库库存编号：
497-4350-1-ND
别名：497-4350-1
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 75A 300W TO247AD
详细描述：IGBT PT 600V 75A 300W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH60N60
仓库库存编号：
IXGH60N60-ND
别名：Q2124563A
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS NPN 600V 12A ISOWATT218FX
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 600V 12A 65W Through Hole ISOWATT-218FX
型号：
ST2310FX
仓库库存编号：
497-4621-5-ND
别名：497-4621
497-4621-5
497-4621-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 40A 160W TO3P
详细描述：IGBT 600V 40A 160W Through Hole TO-3PN
型号：
FGA40N60UFDTU
仓库库存编号：
FGA40N60UFDTU-ND
别名：FGA40N60UFDTU_NL
FGA40N60UFDTU_NL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 28A 125W TO263AB
详细描述：IGBT 600V 28A 125W Surface Mount TO-263AB
型号：
FGB20N6S2D
仓库库存编号：
FGB20N6S2D-ND
别名：FGB20N6S2D_NL
FGB20N6S2D_NL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 28A 125W TO263AB
详细描述：IGBT 600V 28A 125W Surface Mount TO-263AB
型号：
FGB20N6S2
仓库库存编号：
FGB20N6S2-ND
别名：FGB20N6S2_NL
FGB20N6S2_NL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 45A 167W TO263AB
详细描述：IGBT 600V 45A 167W Surface Mount TO-263AB
型号：
FGB30N6S2D
仓库库存编号：
FGB30N6S2D-ND
别名：FGB30N6S2D_NL
FGB30N6S2D_NL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 28A 125W TO247
详细描述：IGBT 600V 28A 125W Through Hole TO-247-3
型号：
FGH20N6S2D
仓库库存编号：
FGH20N6S2D-ND
别名：FGH20N6S2D_NL
FGH20N6S2D_NL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 28A 125W TO247
详细描述：IGBT 600V 28A 125W Through Hole TO-247-3
型号：
FGH20N6S2
仓库库存编号：
FGH20N6S2-ND
别名：FGH20N6S2_NL
FGH20N6S2_NL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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