产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
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分立半导体产品
分立半导体产品
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 100mA(Tc) 1.1W(Ta),25W(Tc) TO-251
型号:
IXTU01N100D
仓库库存编号:
IXTU01N100D-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 500MA TO-263
详细描述:通孔 N 沟道 500mA(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP05N100P
仓库库存编号:
IXTP05N100P-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Tc) 50W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IXTY1N100P
仓库库存编号:
IXTY1N100P-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Tc) 50W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA1N100P
仓库库存编号:
IXTA1N100P-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 800mA(Tc) 42W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP08N100P
仓库库存编号:
IXTP08N100P-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 1A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP1N100P
仓库库存编号:
IXTP1N100P-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 800mA(Tc) 42W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA08N100P
仓库库存编号:
IXTA08N100P-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 750mA(Tc) 40W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP05N100
仓库库存编号:
IXTP05N100-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV .1A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100mA(Tc) 25W(Tc) TO-251
型号:
IXTU01N100
仓库库存编号:
IXTU01N100-ND
别名:Q1225942
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 1.6A(Tc) 100W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP1R6N100D2
仓库库存编号:
IXTP1R6N100D2-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.4A(Tc) 63W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IXTY1R4N100P
仓库库存编号:
IXTY1R4N100P-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 1.4A(Tc) 63W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP1R4N100P
仓库库存编号:
IXTP1R4N100P-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Tc) 100W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA1R6N100D2
仓库库存编号:
IXTA1R6N100D2-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.4A(Tc) 63W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA1R4N100P
仓库库存编号:
IXTA1R4N100P-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Tc) 86W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IXTY2N100P
仓库库存编号:
IXTY2N100P-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 8A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) TO-251
型号:
IXTU08N100P
仓库库存编号:
IXTU08N100P-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 800mA(Tc) 42W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IXTY08N100P
仓库库存编号:
IXTY08N100P-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 86W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP2N100P
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IXTP2N100P-ND
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MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Tc) 86W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA2N100P
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP4N100P
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产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 700mA(Tc) 25W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP05N100M
仓库库存编号:
IXTP05N100M-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 750MA TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 750mA(Tc) 40W(Tc) TO-251
型号:
IXTU05N100
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MOSFET N-CH 1000V 4A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 150W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA4N100P
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IXFA4N100P-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
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IXTP3N100P
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MOSFET N-CH 1000V 3A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 125W(Tc) TO-263(IXTA)
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