产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:漏源电压(Vdss) 900V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(13)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(13)
筛选品牌
Global Power Technologies Group (13)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 4A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 900V 4A(Tc) 38.7W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M004A090FH
仓库库存编号:
GP1M004A090FH-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 4A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 900V 4A(Tc) 123W(Tc) TO-220
型号:
GP1M004A090H
仓库库存编号:
GP1M004A090H-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 9A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 900V 9A(Tc) 290W(Tc) TO-220
型号:
GP1M009A090H
仓库库存编号:
GP1M009A090H-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 900V 10A(Tc) 312W(Tc) TO-3PN
型号:
GP1M010A080N
仓库库存编号:
GP1M010A080N-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 9A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 900V 9A(Tc) 89W(Tc) TO-220F
型号:
GP2M009A090FG
仓库库存编号:
GP2M009A090FG-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 9A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 900V 9A(Tc) 312W(Tc) TO-3PN
型号:
GP2M009A090NG
仓库库存编号:
GP2M009A090NG-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 2.5A(Tc) 94W(Tc) D-Pak
型号:
GP1M003A090C
仓库库存编号:
1560-1157-1-ND
别名:1560-1157-1
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 900V 2.5A(Tc) 94W(Tc) I-Pak
型号:
GP1M003A090PH
仓库库存编号:
1560-1158-5-ND
别名:1560-1158-1
1560-1158-1-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 7A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 900V 7A(Tc) 40.3W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M007A090FH
仓库库存编号:
1560-1164-5-ND
别名:1560-1164-1
1560-1164-1-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 7A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 900V 7A(Tc) 250W(Tc) TO-220
型号:
GP1M007A090H
仓库库存编号:
1560-1165-5-ND
别名:1560-1165-1
1560-1165-1-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 9A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 900V 9A(Tc) 48W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M009A090FH
仓库库存编号:
1560-1173-5-ND
别名:1560-1173-1
1560-1173-1-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 900V 9.5A(Tc) 312W(Tc) TO-3PN
型号:
GP1M009A090N
仓库库存编号:
1560-1174-5-ND
别名:1560-1174-1
1560-1174-1-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 900V 11A(Tc) 416W(Tc) TO-3PN
型号:
GP2M011A090NG
仓库库存编号:
1560-1209-5-ND
别名:1560-1209-1
1560-1209-1-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号