产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V, | 创唯电子 (美国1号仓库)

产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,

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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 2.4A TO220AB
详细描述：通孔 P 沟道 60V 2.4A（Ta） 2.4W（Ta），62.5W（Tc） TO-220AB

型号：NTP2955
仓库库存编号：NTP2955-ND

产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92
详细描述：通孔 N 沟道 60V 150mA（Ta） 400mW（Ta） TO-92-3

型号：VN2222LLRLRA
仓库库存编号：VN2222LLRLRA-ND

产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.1A 2.5W Surface Mount 8-SO

型号：HUFA76413DK8T
仓库库存编号：HUFA76413DK8TCT-ND
别名：HUFA76413DK8TCT

产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 110A（Tc） 3.75W（Ta），375W（Tc） TO-263（D2Pak）

型号：SUM110N06-3M4L-E3
仓库库存编号：SUM110N06-3M4L-E3CT-ND
别名：SUM110N06-3M4L-E3-ND
SUM110N06-3M4L-E3CT

产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 3.75W（Ta），125W（Tc） TO-263（D2Pak）

型号：SUM75N06-09L-E3
仓库库存编号：SUM75N06-09L-E3CT-ND
别名：SUM75N06-09L-E3-ND
SUM75N06-09L-E3CT

产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 270MA TO92-18RM
详细描述：通孔 P 沟道 60V 270mA（Ta） 800mW（Ta） TO-92-18RM

型号：BS250KL-TR1-E3
仓库库存编号：BS250KL-TR1-E3CT-ND
别名：BS250KL-T1-E3CT
BS250KL-T1-E3CT-ND
BS250KL-TR1-E3CT
BS250KLTR1E3

产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 190mA（Ta） 250mW（Ta） SC-75A

型号：SI1021R-T1-E3
仓库库存编号：SI1021R-T1-E3CT-ND
别名：SI1021R-T1-E3CT
SI1021RT1E3

产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 330mA（Ta） 250mW（Ta） SC-75A

型号：SI1022R-T1-E3
仓库库存编号：SI1022R-T1-E3CT-ND
别名：SI1022R-T1-E3CT
SI1022RT1E3

产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SOT563F
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 190mA 250mW Surface Mount SC-89-6

型号：SI1025X-T1-E3
仓库库存编号：SI1025X-T1-E3CT-ND
别名：SI1025X-T1-E3CT
SI1025XT1E3

产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563F
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 305mA 250mW Surface Mount SC-89-6

型号：SI1026X-T1-E3
仓库库存编号：SI1026X-T1-E3CT-ND
别名：SI1026X-T1-E3CT
SI1026XT1E3

产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 60V SOT563F
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 60V 305mA, 190mA 250mW Surface Mount SC-89-6

型号：SI1029X-T1-E3
仓库库存编号：SI1029X-T1-E3CT-ND
别名：SI1029X-T1-E3CT
SI1029XT1E3

产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 1.25W（Ta） SOT-23-3（TO-236）

型号：SI2308DS-T1-E3
仓库库存编号：SI2308DS-T1-E3CT-ND
别名：SI2308DS-T1-E3CT
SI2308DST1E3

产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.25W（Ta） SOT-23-3（TO-236）

型号：SI2309DS-T1-E3
仓库库存编号：SI2309DS-T1-E3CT-ND
别名：SI2309DS-T1-E3CT
SI2309DST1E3

产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 3.2A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2W（Ta） 6-TSOP

型号：SI3458DV-T1-E3
仓库库存编号：SI3458DV-T1-E3CT-ND
别名：SI3458DV-T1-E3CT
SI3458DVT1E3

产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 2.2A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 2.2A（Tc） 2W（Ta） 6-TSOP

型号：SI3459DV-T1-E3
仓库库存编号：SI3459DV-T1-E3CT-ND
别名：SI3459DV-T1-E3CT
SI3459DVT1E3

产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 9A（Ta） 1.85W（Ta） 8-SO

型号：SI4470EY-T1-E3
仓库库存编号：SI4470EY-T1-E3CT-ND
别名：SI4470EY-T1-E3CT
SI4470EYT1E3

产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 12A PPAK CHIPFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 12A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） PowerPAK? ChipFET 单通道

型号：SI5476DU-T1-E3
仓库库存编号：SI5476DU-T1-E3CT-ND
别名：SI5476DU-T1-E3CT
SI5476DUT1E3

产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 2.2A（Ta） 1W（Ta） 8-TSSOP

型号：SI6459BDQ-T1-E3
仓库库存编号：SI6459BDQ-T1-E3CT-ND
别名：SI6459BDQ-T1-E3CT
SI6459BDQT1E3

产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 6.3A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8

型号：SI7120DN-T1-E3
仓库库存编号：SI7120DN-T1-E3CT-ND
别名：SI7120DN-T1-E3CT

产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 5.4W（Ta），96W（Tc） PowerPAK? SO-8

型号：SI7138DP-T1-E3
仓库库存编号：SI7138DP-T1-E3CT-ND
别名：SI7138DP-T1-E3CT

产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 3.2A 1.4W, 1.5W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual

型号：SI7530DP-T1-E3
仓库库存编号：SI7530DP-T1-E3CT-ND
别名：SI7530DP-T1-E3CT

产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6.2A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual

型号：SI7960DP-T1-E3
仓库库存编号：SI7960DP-T1-E3CT-ND
别名：SI7960DP-T1-E3CT

产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6.1A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual

型号：SI7964DP-T1-E3
仓库库存编号：SI7964DP-T1-E3CT-ND
别名：SI7964DP-T1-E3CT

产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 270MA TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 60V 270mA（Ta） 800mW（Ta） TO-226AA

型号：TP0610KL-TR1-E3
仓库库存编号：TP0610KL-TR1-E3CT-ND
别名：TP0610KL-TR1-E3CT
TP0610KLTR1E3

产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 3.7W（Ta），93W（Tc） TO-263（D2Pak）

型号：SUM50N06-16L-E3
仓库库存编号：SUM50N06-16L-E3CT-ND
别名：SUM50N06-16L-E3CT

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