产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI80N06S4L07AKSA2
仓库库存编号:
IPI80N06S4L07AKSA2-ND
别名:SP001028678
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI80N06S407AKSA2
仓库库存编号:
IPI80N06S407AKSA2-ND
别名:SP001028676
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 60V 90A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 90A(Tc) 140W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU7540PBF
仓库库存编号:
IRFU7540PBF-ND
别名:SP001565384
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 60V 56A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 56A(Tc) 99W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU7546PBF
仓库库存编号:
IRFU7546PBF-ND
别名:SP001571892
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 50A(Tc) 79W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP084N06L3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP084N06L3GXKSA1-ND
别名:IPP084N06L3 G
IPP084N06L3 G-ND
SP000680838
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 50A(Tc) 79W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI084N06L3GXKSA1
仓库库存编号:
IPI084N06L3GXKSA1-ND
别名:SP001065242
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 100A(Tc) 83W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC027N06LS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC027N06LS5ATMA1-ND
别名:SP001385616
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N06S405AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N06S405AKSA1-ND
别名:IPI80N06S4-05
IPI80N06S4-05-ND
SP000415632
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S405AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N06S405AKSA1-ND
别名:IPP80N06S4-05
IPP80N06S4-05-ND
SP000415704
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB90N06S404ATMA2
仓库库存编号:
IPB90N06S404ATMA2-ND
别名:SP001028754
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 43A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 43A(Tc) 71W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRFB3806
仓库库存编号:
AUIRFB3806-ND
别名:SP001522276
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI90N06S404AKSA1
仓库库存编号:
IPI90N06S404AKSA1-ND
别名:IPI90N06S4-04
IPI90N06S4-04-ND
SP000379633
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 45A(Tc) 33W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA060N06NXKSA1
仓库库存编号:
IPA060N06NXKSA1-ND
别名:SP001099646
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB029N06N3GE8187ATMA1
仓库库存编号:
IPB029N06N3GE8187ATMA1TR-ND
别名:IPB029N06N3 G E8187
IPB029N06N3 G E8187-ND
SP000939334
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB90N06S4L04ATMA2
仓库库存编号:
IPB90N06S4L04ATMA2-ND
别名:SP001028756
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N06S403ATMA2
仓库库存编号:
IPB120N06S403ATMA2-ND
别名:SP001028770
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 43A(Tc) 71W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFS3806TRL
仓库库存编号:
AUIRFS3806TRL-ND
别名:SP001516146
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI90N06S4L04AKSA2
仓库库存编号:
IPI90N06S4L04AKSA2-ND
别名:SP001028760
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 179A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 14A(Ta),68A(Tc) 2.5W(Ta),63W(Tc) DIRECTFET? M4
型号:
AUIRF7648M2TR
仓库库存编号:
AUIRF7648M2TR-ND
别名:SP001521562
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 60V 110A(Tc) 160W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL7540PBF
仓库库存编号:
IRFSL7540PBF-ND
别名:SP001557648
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 69A(Tc) 36W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA040N06NXKSA1
仓库库存编号:
IPA040N06NXKSA1-ND
别名:SP001196264
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 57A(Tc) 92W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFZ44VZSTRL
仓库库存编号:
AUIRFZ44VZSTRL-ND
别名:SP001522838
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 75A(Tc) 140W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF1010EZSTRL
仓库库存编号:
AUIRF1010EZSTRL-ND
别名:SP001520896
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N06S402ATMA2
仓库库存编号:
IPB120N06S402ATMA2-ND
别名:SP001028776
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N06S4H1ATMA2
仓库库存编号:
IPB120N06S4H1ATMA2-ND
别名:SP001028782
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