产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S4L07ATMA2
仓库库存编号:
IPB80N06S4L07ATMA2-ND
别名:SP001028674
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 79W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD90N06S4L06ATMA2
仓库库存编号:
IPD90N06S4L06ATMA2-ND
别名:SP001028682
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 1.22A SOT883
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 1.22A(Tc) 2.5W(Tc) DFN1006-3
型号:
PMZ760SN,315
仓库库存编号:
568-7443-1-ND
别名:568-7443-1
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 45A PG-TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 45A(Tc) 71W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP45N06S4L08AKSA2
仓库库存编号:
IPP45N06S4L08AKSA2-ND
别名:SP001028650
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 50W Surface Mount PG-TDSON-8-4
型号:
IPG20N06S4L14ATMA2
仓库库存编号:
IPG20N06S4L14ATMA2-ND
别名:SP001028632
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 50W Surface Mount PG-TDSON-8-10
型号:
IPG20N06S4L14AATMA1
仓库库存编号:
IPG20N06S4L14AATMA1-ND
别名:SP001023846
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S407AKSA2
仓库库存编号:
IPP80N06S407AKSA2-ND
别名:SP001028666
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 107W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD90N06S4L05ATMA2
仓库库存编号:
IPD90N06S4L05ATMA2-ND
别名:SP001028748
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 45A(Tc) 71W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI45N06S409AKSA2
仓库库存编号:
IPI45N06S409AKSA2-ND
别名:SP001028656
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 45A(Tc) 71W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI45N06S4L08AKSA1
仓库库存编号:
IPI45N06S4L08AKSA1-ND
别名:IPI45N06S4L-08
IPI45N06S4L-08-ND
SP000374333
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S407ATMA2
仓库库存编号:
IPB80N06S407ATMA2-ND
别名:SP001028672
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 50W Surface Mount PG-TDSON-8-4
型号:
IPG20N06S415ATMA2
仓库库存编号:
IPG20N06S415ATMA2-ND
别名:SP001028634
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD90N06S404ATMA2
仓库库存编号:
IPD90N06S404ATMA2-ND
别名:SP001028762
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 43A(Tc) 71W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRFR3806TRL
仓库库存编号:
AUIRFR3806TRL-ND
别名:SP001521230
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S405ATMA2
仓库库存编号:
IPB80N06S405ATMA2-ND
别名:SP001028718
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S4L05ATMA2
仓库库存编号:
IPB80N06S4L05ATMA2-ND
别名:SP001028720
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 45A(Tc) 71W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB45N06S409ATMA2
仓库库存编号:
IPB45N06S409ATMA2-ND
别名:SP001028652
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 45A(Tc) 71W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP45N06S409AKSA2
仓库库存编号:
IPP45N06S409AKSA2-ND
别名:SP001028648
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S4L07AKSA2
仓库库存编号:
IPP80N06S4L07AKSA2-ND
别名:SP001028668
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD90N06S4L03ATMA2
仓库库存编号:
IPD90N06S4L03ATMA2-ND
别名:SP001028764
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 100A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD100N06S403ATMA2
仓库库存编号:
IPD100N06S403ATMA2-ND
别名:SP001028766
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 65W Surface Mount PG-TDSON-8-4
型号:
IPG20N06S4L11ATMA1
仓库库存编号:
IPG20N06S4L11ATMA1-ND
别名:SP000705550
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MOSFET N-CH TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 107W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD033N06NATMA1
仓库库存编号:
IPD033N06NATMA1-ND
别名:SP001602182
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
AUIRF7478QTR
仓库库存编号:
AUIRF7478QTR-ND
别名:SP001522778
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 65W Surface Mount PG-TDSON-8-10
型号:
IPG20N06S4L11AATMA1
仓库库存编号:
IPG20N06S4L11AATMA1-ND
别名:SP001200162
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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