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• IXYS
  MOSFET N-CH 60V 200A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 200A（Tc） 714W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ200N06P
  仓库库存编号：IXTQ200N06P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 60V 180A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 180A（Tc） 560W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR180N06
  仓库库存编号：IXFR180N06-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• TT Electronics/Optek Technology
  MOSFET N-CH 60V 200MA SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 300mW（Ta） 3-SMD
  
  型号：HCT7000M
  仓库库存编号：HCT7000M-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• TT Electronics/Optek Technology
  MOSFET N-CH 60V 200MA SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 300mW（Ta） 3-SMD
  
  型号：HCT7000MTX
  仓库库存编号：HCT7000MTX-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 990mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
  
  型号：2N6660
  仓库库存编号：2N6660-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• TT Electronics/Optek Technology
  MOSFET N-CH 60V 200MA SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 300mW（Ta） 3-SMD
  
  型号：HCT7000MTXV
  仓库库存编号：HCT7000MTXV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 60V 340A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN340N06
  仓库库存编号：IXFN340N06-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：SN7002NH6433XTMA1
  仓库库存编号：SN7002NH6433XTMA1-ND
  别名：SP000924072
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 280mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：BSS138WH6433XTMA1
  仓库库存编号：BSS138WH6433XTMA1-ND
  别名：SP000917558
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS7728NH6327XTSA2
  仓库库存编号：BSS7728NH6327XTSA2-ND
  别名：SP000929184
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2.9A（Tj） 1.8W（Ta） SOT-223
  
  型号：BSP320SH6433XTMA1
  仓库库存编号：BSP320SH6433XTMA1-ND
  别名：SP001058772
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 27A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 27A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD400N06NGBTMA1
  仓库库存编号：IPD400N06NGBTMA1CT-ND
  别名：IPD400N06NG
  IPD400N06NGINCT
  IPD400N06NGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：SN7002N L6327
  仓库库存编号：SN7002NL6327INCT-ND
  别名：SN7002NL6327
  SN7002NL6327INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 8TDSON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 33W Surface Mount PG-TDSON-8-10
  
  型号：IPG20N06S4L26AATMA1
  仓库库存编号：IPG20N06S4L26AATMA1-ND
  别名：SP001023848
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD50N06S4L08ATMA2
  仓库库存编号：IPD50N06S4L08ATMA2-ND
  别名：SP001028664
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 47A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 47A（Tc） 36W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC094N06LS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC094N06LS5ATMA1-ND
  别名：SP001458086
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 2A 2W Surface Mount PG-DSO-8
  
  型号：BSO612CVGHUMA1
  仓库库存编号：BSO612CVGHUMA1TR-ND
  别名：BSO612CV G
  BSO612CV G-ND
  BSO612CVGINTR
  BSO612CVGINTR-ND
  BSO612CVGT
  BSO612CVGXT
  BSO612CVT
  BSO612CVXTINTR
  BSO612CVXTINTR-ND
  SP000216307
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 8.8A（Ta） 42W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：SPB08P06PGATMA1
  仓库库存编号：SPB08P06PGATMA1TR-ND
  别名：SP000102179
  SPB08P06P G
  SPB08P06P G-ND
  SPB08P06PGINTR
  SPB08P06PGINTR-ND
  SPB08P06PGXT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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  MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD50N06S409ATMA2
  仓库库存编号：IPD50N06S409ATMA2-ND
  别名：SP001028662
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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  MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 20A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ076N06NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSZ076N06NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSZ076N06NS3GINCT
  BSZ076N06NS3GINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 140W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：IRFR7540TRLPBF
  仓库库存编号：IRFR7540TRLPBF-ND
  别名：SP001565094
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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  MOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 64A（Tc） 46W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC065N06LS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC065N06LS5ATMA1-ND
  别名：SP001385614
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD90N06S407ATMA2
  仓库库存编号：IPD90N06S407ATMA2-ND
  别名：SP001028680
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD127N06LGBTMA1
  仓库库存编号：IPD127N06LGBTMA1CT-ND
  别名：IPD127N06LG
  IPD127N06LGINCT
  IPD127N06LGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 107W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD90N06S405ATMA2
  仓库库存编号：IPD90N06S405ATMA2-ND
  别名：SP001028730
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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