产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(2940)
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
(299)
晶体管 - FET，MOSFET - 单
(2641)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(102)
Central Semiconductor Corp(9)
Comchip Technology(2)
Diodes Incorporated(327)
EPC(10)
Fairchild/ON Semiconductor(396)
Infineon Technologies(486)
IXYS(13)
IXYS Integrated Circuits Division(2)
Micro Commercial Co(8)
Microchip Technology(32)
Nexperia USA Inc.(145)
NXP USA Inc.(34)
ON Semiconductor(442)
Panasonic Electronic Components(8)
Renesas Electronics America(40)
Rohm Semiconductor(48)
Sanken(36)
STMicroelectronics(142)
Taiwan Semiconductor Corporation(85)
Texas Instruments(29)
Toshiba Semiconductor and Storage(78)
Trinamic Motion Control GmbH(1)
TT Electronics/Optek Technology(3)
Vishay Siliconix(462)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ44STRLPBF
仓库库存编号：
IRFZ44STRLPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 36A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Ta），235A（Tc） 3.8W（Ta）, 167W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C612NLWFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C612NLWFT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Ta），250A（Tc） 3.8W（Ta）, 167W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C612NLWFAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C612NLWFAFT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 220A TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 220A（Tc） 283W（Tc） TO-220AB
型号：
NTP5860NG
仓库库存编号：
NTP5860NG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 18A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9Z34STRRPBF
仓库库存编号：
IRF9Z34STRRPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 110A（Tc） 230W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM110P06-8M9L_GE3
仓库库存编号：
SQM110P06-8M9L_GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 230W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM120N06-06_GE3
仓库库存编号：
SQM120N06-06_GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
搜索
Vishay Siliconix
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：通孔 P 沟道 100A（Tc） 187W（Tc） TO-220AB
型号：
SQP100P06-9M3L_GE3
仓库库存编号：
SQP100P06-9M3L_GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：通孔 N 沟道 175W（Tc） TO-220AB
型号：
SQP120N06-06_GE3
仓库库存编号：
SQP120N06-06_GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） TO-262-3
型号：
SQV120N06-4M7L_GE3
仓库库存编号：
SQV120N06-4M7L_GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SQD40N06-25L-GE3
仓库库存编号：
SQD40N06-25L-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR024TR
仓库库存编号：
IRLR024TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR024TRL
仓库库存编号：
IRLR024TRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 93A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 93A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD50N06-08H-E3
仓库库存编号：
SUD50N06-08H-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 2.4W（Ta），150W（Tj） D2PAK
型号：
NVB60N06T4G
仓库库存编号：
NVB60N06T4G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 170A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 170A（Ta） 90W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
NDBA170N06AT4H
仓库库存编号：
NDBA170N06AT4H-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 60V 20A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 20A（Tc） 2W（Ta），25W（Tc） TO-220 隔离的标片
型号：
2SJ649-AZ
仓库库存编号：
2SJ649-AZ-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD024
仓库库存编号：
IRFD024-ND
别名：*IRFD024
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
型号：
IRLU024
仓库库存编号：
IRLU024-ND
别名：*IRLU024
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
含铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 130A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 210W（Tc） TO-220AB
型号：
DMNH6008SCTQ
仓库库存编号：
DMNH6008SCTQDI-ND
别名：DMNH6008SCTQ-ND
DMNH6008SCTQDI
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 1.5W（Ta），156W（Tc） TO-220-3
型号：
N0602N-S19-AY
仓库库存编号：
N0602N-S19-AY-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM50020EL_GE3
仓库库存编号：
SQM50020EL_GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
搜索
Vishay Siliconix
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：通孔 P 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
SQP90P06-07L_GE3
仓库库存编号：
SQP90P06-07L_GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 48W（Tc） TO-220-3
型号：
IRLIZ44G
仓库库存编号：
IRLIZ44G-ND
别名：*IRLIZ44G
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 190W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
IRFZ48RSPBF
仓库库存编号：
IRFZ48RSPBF-ND
别名：*IRFZ48RSPBF
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
