产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 27A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 27A(Tc) 36W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB260N06N3GATMA1
仓库库存编号:
IPB260N06N3GATMA1CT-ND
别名:IPB260N06N3 GCT
IPB260N06N3 GCT-ND
IPB260N06N3G
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 115W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD053N06N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD053N06N3GBTMA1CT-ND
别名:IPD053N06N3 GCT
IPD053N06N3 GCT-ND
IPD053N06N3G
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 28A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 28A(Tc) 36W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD250N06N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD250N06N3GBTMA1CT-ND
别名:IPD250N06N3 GCT
IPD250N06N3 GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 230mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS159NL6906HTSA1
仓库库存编号:
BSS159NL6906HTSA1CT-ND
别名:BSS159N L6906CT
BSS159N L6906CT-ND
BSS159NL6906
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 79A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF1018ES
仓库库存编号:
AUIRF1018ES-ND
别名:SP001517308
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
AUIRF7478Q
仓库库存编号:
AUIRF7478Q-ND
别名:SP001518452
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 79A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 56A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR1018E
仓库库存编号:
AUIRFR1018E-ND
别名:SP001522694
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 43A(Tc) 71W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRFR3806
仓库库存编号:
AUIRFR3806-ND
别名:SP001518142
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 270A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 195A(Tc) 375W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFS3006
仓库库存编号:
AUIRFS3006-ND
别名:SP001521196
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 293A D2PAK-7P
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 240A(Tc) 375W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFS3006-7P
仓库库存编号:
AUIRFS3006-7P-ND
别名:AUIRFS30067P
SP001522888
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 160A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFS3306
仓库库存编号:
AUIRFS3306-ND
别名:SP001517554
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 43A(Tc) 71W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFS3806
仓库库存编号:
AUIRFS3806-ND
别名:SP001518108
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 99A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 50A(Tc) 143W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRLR3636
仓库库存编号:
AUIRLR3636-ND
别名:SP001520390
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 270A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 195A(Tc) 380W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRLS3036
仓库库存编号:
AUIRLS3036-ND
别名:SP001521322
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 300A D2PAK-7P
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 240A(Tc) 380W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
AUIRLS3036-7P
仓库库存编号:
AUIRLS3036-7P-ND
别名:AUIRLS30367P
SP001520858
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 58A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 58A(Tc) 96W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK7514-60E,127
仓库库存编号:
568-9836-5-ND
别名:568-9836-5
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BUK751460E127
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 349W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK752R7-60E,127
仓库库存编号:
568-9840-5-ND
别名:568-9840-5
934066481127
BUK752R760E127
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 293W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK753R5-60E,127
仓库库存编号:
568-9842-5-ND
别名:568-9842-5
934066643127
BUK753R560E127
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 100A(Tc) 234W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK754R7-60E,127
仓库库存编号:
568-9844-5-ND
别名:568-9844-5
934066471127
BUK754R760E127
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 54A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 54A(Tc) 96W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK9515-60E,127
仓库库存编号:
568-9858-5-ND
别名:568-9858-5
934066475127
BUK951560E127
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 349W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK952R8-60E,127
仓库库存编号:
568-9862-5-ND
别名:568-9862-5
934066522127
BUK952R860E127
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 54A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 54A(Tc) 96W(Tc) I2PAK
型号:
BUK9E15-60E,127
仓库库存编号:
568-9868-5-ND
别名:568-9868-5
934066659127
BUK9E1560E127
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 349W(Tc) I2PAK
型号:
BUK9E2R8-60E,127
仓库库存编号:
568-9872-5-ND
别名:568-9872-5
934066513127
BUK9E2R860E127
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 293W(Tc) I2PAK
型号:
BUK9E3R7-60E,127
仓库库存编号:
568-9874-5-ND
别名:568-9874-5
934066631127
BUK9E3R760E127
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 100A(Tc) 234W(Tc) I2PAK
型号:
BUK9E4R9-60E,127
仓库库存编号:
568-9876-5-ND
别名:568-9876-5
934066657127
BUK9E4R960E127
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