产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP120N06S4H1AKSA1
仓库库存编号：
IPP120N06S4H1AKSA1-ND
别名：IPP120N06S4-H1
IPP120N06S4-H1-ND
SP000415698
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 45A（Tc） 71W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP45N06S409AKSA1
仓库库存编号：
IPP45N06S409AKSA1-ND
别名：IPP45N06S4-09
IPP45N06S4-09-ND
SP000374339
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 45A（Tc） 71W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP45N06S4L08AKSA1
仓库库存编号：
IPP45N06S4L08AKSA1-ND
别名：IPP45N06S4L-08
IPP45N06S4L-08-ND
SP000374340
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S407AKSA1
仓库库存编号：
IPP80N06S407AKSA1-ND
别名：IPP80N06S4-07
IPP80N06S4-07-ND
SP000415706
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S4L05AKSA1
仓库库存编号：
IPP80N06S4L05AKSA1-ND
别名：IPP80N06S4L-05
IPP80N06S4L-05-ND
SP000415708
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S4L07AKSA1
仓库库存编号：
IPP80N06S4L07AKSA1-ND
别名：IPP80N06S4L-07
IPP80N06S4L-07-ND
SP000415710
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP90N06S404AKSA1
仓库库存编号：
IPP90N06S404AKSA1-ND
别名：IPP90N06S4-04
IPP90N06S4-04-ND
SP000379634
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP90N06S4L04AKSA1
仓库库存编号：
IPP90N06S4L04AKSA1-ND
别名：IPP90N06S4L-04
IPP90N06S4L-04-ND
SP000415712
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB021N06N3GATMA1
仓库库存编号：
IPB021N06N3GATMA1CT-ND
别名：IPB021N06N3 GCT
IPB021N06N3 GCT-ND
IPB021N06N3G
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-7
型号：
IPB034N06N3GATMA1
仓库库存编号：
IPB034N06N3GATMA1CT-ND
别名：IPB034N06N3 GCT
IPB034N06N3 GCT-ND
IPB034N06N3G
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 195A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 195A（Tc） 380W（Tc） TO-220AB
型号：
IRLB3036GPBF
仓库库存编号：
IRLB3036GPBF-ND
别名：SP001558722
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 21A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH5006TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5006TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5006TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 21A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），114W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH5106TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5106TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5106TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 16A 5X6 PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 16A（Ta），89A（Tc） 3.6W（Ta），100W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH5206TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5206TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5206TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 40A 5X6 PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 11A（Ta），40A（Tc） 3.6W（Ta），46W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH5406TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5406TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5406TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 20A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），160W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRLH5036TR2PBF
仓库库存编号：
IRLH5036TR2PBFCT-ND
别名：IRLH5036TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 75A（Tc） 140W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRF1010EZS
仓库库存编号：
AUIRF1010EZS-ND
别名：SP001516450
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 57A（Tc） 92W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRFZ44VZS
仓库库存编号：
AUIRFZ44VZS-ND
别名：SP001517600
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD100N06S403ATMA1
仓库库存编号：
IPD100N06S403ATMA1TR-ND
别名：IPD100N06S4-03
IPD100N06S4-03-ND
SP000415576
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 0.17A SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS84PH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSS84PH6327XTSA1-ND
别名：BSS84P H6327
BSS84P H6327-ND
SP000702496
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 13A WDSON-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 13A（Ta），56A（Tc） 2.2W（Ta），38W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSF077N06NT3GXUMA1
仓库库存编号：
BSF077N06NT3GXUMA1CT-ND
别名：BSF077N06NT3 GCT
BSF077N06NT3 GCT-ND
BSF077N06NT3G
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP320SL6433HTMA1
仓库库存编号：
BSP320SL6433HTMA1CT-ND
别名：BSP320S L6433CT
BSP320S L6433CT-ND
BSP320SL6433
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 140A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-7
型号：
IPB023N06N3GATMA1
仓库库存编号：
IPB023N06N3GATMA1CT-ND
别名：IPB023N06N3 GCT
IPB023N06N3 GCT-ND
IPB023N06N3G
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 115W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB049N06L3GATMA1
仓库库存编号：
IPB049N06L3GATMA1CT-ND
别名：IPB049N06L3 GCT
IPB049N06L3 GCT-ND
IPB049N06L3G
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 30A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 36W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB230N06L3GATMA1
仓库库存编号：
IPB230N06L3GATMA1CT-ND
别名：IPB230N06L3 GCT
IPB230N06L3 GCT-ND
IPB230N06L3G
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