产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 45A（Tc） 71W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB45N06S4L08ATMA1
仓库库存编号：
IPB45N06S4L08ATMA1TR-ND
别名：IPB45N06S4L-08
IPB45N06S4L-08-ND
SP000374316
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S405ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S405ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S4-05
IPB80N06S4-05-ND
SP000415566
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S407ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S407ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S4-07
IPB80N06S4-07-ND
SP000415568
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S4L05ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S4L05ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S4L-05
IPB80N06S4L-05-ND
SP000415570
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S4L07ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S4L07ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S4L-07
IPB80N06S4L-07-ND
SP000415572
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB90N06S404ATMA1
仓库库存编号：
IPB90N06S404ATMA1TR-ND
别名：IPB90N06S4-04
IPB90N06S4-04-ND
SP000379632
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB90N06S4L04ATMA1
仓库库存编号：
IPB90N06S4L04ATMA1TR-ND
别名：IPB90N06S4L-04
IPB90N06S4L-04-ND
SP000415574
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 36W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD30N06S4L23ATMA1
仓库库存编号：
IPD30N06S4L23ATMA1TR-ND
别名：IPD30N06S4L-23
IPD30N06S4L-23-ND
SP000374320
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50N06S409ATMA1
仓库库存编号：
IPD50N06S409ATMA1TR-ND
别名：IPD50N06S4-09
IPD50N06S4-09-ND
SP000374321
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50N06S4L08ATMA1
仓库库存编号：
IPD50N06S4L08ATMA1TR-ND
别名：IPD50N06S4L-08
IPD50N06S4L-08-ND
SP000374322
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD90N06S404ATMA1
仓库库存编号：
IPD90N06S404ATMA1TR-ND
别名：IPD90N06S4-04
IPD90N06S4-04-ND
SP000374323
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 107W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD90N06S405ATMA1
仓库库存编号：
IPD90N06S405ATMA1TR-ND
别名：IPD90N06S4-05
IPD90N06S4-05-ND
SP000481510
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD90N06S407ATMA1
仓库库存编号：
IPD90N06S407ATMA1TR-ND
别名：IPD90N06S4-07
IPD90N06S4-07-ND
SP000415586
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD90N06S4L03ATMA1
仓库库存编号：
IPD90N06S4L03ATMA1TR-ND
别名：IPD90N06S4L-03
IPD90N06S4L-03-ND
SP000374326
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 107W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD90N06S4L05ATMA1
仓库库存编号：
IPD90N06S4L05ATMA1TR-ND
别名：IPD90N06S4L-05
IPD90N06S4L-05-ND
SP000415588
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD90N06S4L06ATMA1
仓库库存编号：
IPD90N06S4L06ATMA1TR-ND
别名：IPD90N06S4L-06
IPD90N06S4L-06-ND
SP000415594
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 167W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI120N06S403AKSA1
仓库库存编号：
IPI120N06S403AKSA1-ND
别名：IPI120N06S4-03
IPI120N06S4-03-ND
SP000396308
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI120N06S4H1AKSA1
仓库库存编号：
IPI120N06S4H1AKSA1-ND
别名：IPI120N06S4-H1
IPI120N06S4-H1-ND
SP000415620
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 45A（Tc） 71W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI45N06S409AKSA1
仓库库存编号：
IPI45N06S409AKSA1-ND
别名：IPI45N06S4-09
IPI45N06S4-09-ND
SP000374332
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N06S407AKSA1
仓库库存编号：
IPI80N06S407AKSA1-ND
别名：IPI80N06S4-07
IPI80N06S4-07-ND
SP000415690
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N06S4L05AKSA1
仓库库存编号：
IPI80N06S4L05AKSA1-ND
别名：IPI80N06S4L-05
IPI80N06S4L-05-ND
SP000415692
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N06S4L07AKSA1
仓库库存编号：
IPI80N06S4L07AKSA1-ND
别名：IPI80N06S4L-07
IPI80N06S4L-07-ND
SP000415694
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI90N06S4L04AKSA1
仓库库存编号：
IPI90N06S4L04AKSA1-ND
别名：IPI90N06S4L-04
IPI90N06S4L-04-ND
SP000415696
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP120N06S402AKSA1
仓库库存编号：
IPP120N06S402AKSA1-ND
别名：IPP120N06S4-02
IPP120N06S4-02-ND
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MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 167W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP120N06S403AKSA1
仓库库存编号：
IPP120N06S403AKSA1-ND
别名：IPP120N06S4-03
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