产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 280mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
型号：
BSS138W L6327
仓库库存编号：
BSS138W L6327-ND
别名：SP000245411
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 280mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
型号：
BSS138W L6433
仓库库存编号：
BSS138W L6433-ND
别名：SP000245412
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS159NL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS159NL6327HTSA1TR-ND
别名：BSS159N L6327
BSS159N L6327-ND
SP000247297
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS7728NL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS7728NL6327HTSA1TR-ND
别名：BSS7728N L6327
BSS7728N L6327-ND
SP000247302
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 150mA（Ta） 300mW（Ta） PG-SOT323-3
型号：
BSS84PW L6327
仓库库存编号：
BSS84PW L6327-ND
别名：SP000247312
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI024N06N3GHKSA1
仓库库存编号：
IPI024N06N3GHKSA1-ND
别名：IPI024N06N3 G
IPI024N06N3 G-ND
SP000451486
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI032N06N3 G
仓库库存编号：
IPI032N06N3 G-ND
别名：SP000451490
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 90A（Tc） 167W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI037N06L3GHKSA1
仓库库存编号：
IPI037N06L3GHKSA1-ND
别名：IPI037N06L3 G
IPI037N06L3 G-ND
SP000397910
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 90A（Tc） 188W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI040N06N3GHKSA1
仓库库存编号：
IPI040N06N3GHKSA1-ND
别名：IPI040N06N3 G
IPI040N06N3 G-ND
SP000398038
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI070N06N G
仓库库存编号：
IPI070N06N G-ND
别名：SP000208612
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 30A（Tc） 36W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP230N06L3 G
仓库库存编号：
IPP230N06L3 G-ND
别名：IPP230N06L3G
IPP230N06L3GXKSA1
SP000453648
SP000680886
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 27A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 27A（Tc） 36W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP260N06N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPP260N06N3GXKSA1-ND
别名：IPP260N06N3 G
IPP260N06N3 G-ND
SP000453638
SP000680918
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
型号：
SN7002W L6327
仓库库存编号：
SN7002W L6327-ND
别名：SP000245414
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
型号：
SN7002W L6433
仓库库存编号：
SN7002W L6433-ND
别名：SP000245413
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 60V 50A（Tc） 143W（Tc） I-Pak
型号：
IRLU3636PBF
仓库库存编号：
IRLU3636PBF-ND
别名：SP001567320
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 375A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 33A（Ta），375A（Tc） 3.3W（Ta），125W（Tc） DIRECTFET L8
型号：
IRF7749L2TR1PBF
仓库库存编号：
IRF7749L2TR1PBFCT-ND
别名：IRF7749L2TR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 330mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS83PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS83PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSS83PL6327CT-ND
BSS83PL6327CT_ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-883
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 300mA（Ta） 250mW（Ta） DFN1006-3
型号：
2N7002PM,315
仓库库存编号：
2N7002PM,315-ND
别名：934064133315
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS159NH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSS159NH6327XTSA1-ND
别名：BSS159N H6327
BSS159N H6327-ND
SP000639076
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 330mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS83PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS83P L6327-ND
别名：BSS83P L6327
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB120N06S402ATMA1
仓库库存编号：
IPB120N06S402ATMA1TR-ND
别名：IPB120N06S4-02
IPB120N06S4-02-ND
SP000415560
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB120N06S403ATMA1
仓库库存编号：
IPB120N06S403ATMA1TR-ND
别名：IPB120N06S4-03
IPB120N06S4-03-ND
SP000415558
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB120N06S4H1ATMA1
仓库库存编号：
IPB120N06S4H1ATMA1TR-ND
别名：IPB120N06S4-H1
IPB120N06S4-H1-ND
SP000396274
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB180N06S4H1ATMA1
仓库库存编号：
IPB180N06S4H1ATMA1TR-ND
别名：IPB180N06S4-H1
IPB180N06S4-H1-ND
SP000415562
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 45A（Tc） 71W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB45N06S409ATMA1
仓库库存编号：
IPB45N06S409ATMA1TR-ND
别名：IPB45N06S4-09
IPB45N06S4-09-ND
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产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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