产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 60V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP050N06N G
仓库库存编号：
IPP050N06NGIN-ND
别名：IPP050N06N G-ND
IPP050N06NGIN
IPP050N06NGX
IPP050N06NGXK
SP000204169
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP065N06LGAKSA1
仓库库存编号：
IPP065N06LGAKSA1-ND
别名：IPP065N06L G
IPP065N06L G-ND
IPP065N06LG
IPP065N06LGXK
SP000204182
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 214W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP070N06L G
仓库库存编号：
IPP070N06LGIN-ND
别名：IPP070N06L G-ND
IPP070N06LGIN
IPP070N06LGX
IPP070N06LGXK
SP000204171
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP070N06N G
仓库库存编号：
IPP070N06NGIN-ND
别名：IPP070N06N G-ND
IPP070N06NG
IPP070N06NGIN
IPP070N06NGXK
SP000204186
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 214W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP080N06N G
仓库库存编号：
IPP080N06N G-ND
别名：IPP080N06NGX
IPP080N06NGXK
SP000204173
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 60V 75A（Tc） 158W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP120N06NGAKSA1
仓库库存编号：
IPP120N06NGAKSA1-ND
别名：IPP120N06N G
IPP120N06N G-ND
IPP120N06NGIN
IPP120N06NGIN-ND
IPP120N06NGX
IPP120N06NGXK
SP000204175
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
SN7002N E6327
仓库库存编号：
SN7002N E6327-ND
别名：SN7002NE6327XT
SP000014634
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
SN7002N E6433
仓库库存编号：
SN7002N E6433-ND
别名：SN7002NE6433XT
SP000014635
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
型号：
SN7002W E6433
仓库库存编号：
SN7002W E6433-ND
别名：SN7002WE6433
SP000014286
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 8.8A（Ta） 42W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB08P06P
仓库库存编号：
SPB08P06P-ND
别名：SP000012508
SPB08P06PT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 18.7A（Ta） 81.1W（Ta） PG-TO263-3
型号：
SPB18P06P
仓库库存编号：
SPB18P06P-ND
别名：SP000012329
SPB18P06PT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 80A（Tc） 340W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80P06P
仓库库存编号：
SPB80P06P-ND
别名：SP000012841
SPB80P06PT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.83A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 8.83A（Ta） 42W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD08P06P
仓库库存编号：
SPD08P06P-ND
别名：SP000077441
SPD08P06PXT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-251
详细描述：通孔 P 沟道 60V 18.6A（Tc） PG-TO251-3
型号：
SPU18P06P
仓库库存编号：
SPU18P06PIN-ND
别名：SP000012303
SPU18P06P-ND
SPU18P06PIN
SPU18P06PX
SPU18P06PXK
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 30A IPAK
详细描述：通孔 P 沟道 60V 30A（Tc） 125W（Tc） PG-TO251-3
型号：
SPU30P06P
仓库库存编号：
SPU30P06PIN-ND
别名：SP000012844
SPU30P06P-ND
SPU30P06PIN
SPU30P06PX
SPU30P06PXK
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP170PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP170PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSP170PL6327
BSP170PL6327INCT
BSP170PL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP171PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP171PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSP171PL6327
BSP171PL6327INCT
BSP171PL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 1.8A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP295L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP295L6327HTSA1CT-ND
别名：BSP295L6327
BSP295L6327INCT
BSP295L6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.17A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP315PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP315PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSP315PL6327
BSP315PL6327INCT
BSP315PL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 2.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP613PL6327HUSA1
仓库库存编号：
BSP613PL6327HUSA1CT-ND
别名：BSP613PL6327
BSP613PL6327INCT
BSP613PL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS138NL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS138NL6327HTSA1CT-ND
别名：BSS138NL6327
BSS138NL6327INCT
BSS138NL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 280mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
型号：
BSS138W E6327
仓库库存编号：
BSS138WE6327INCT-ND
别名：BSS138WE6327
BSS138WE6327INCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS7728N
仓库库存编号：
BSS7728NINCT-ND
别名：BSS7728NINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS84PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS84PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSS84PL6327
BSS84PL6327INCT
BSS84PL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 150mA（Ta） 300mW（Ta） PG-SOT323-3
型号：
BSS84PW
仓库库存编号：
BSS84PWINCT-ND
别名：BSS84PWINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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