以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 9.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 9.7A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD09P06PL
  仓库库存编号：SPD09P06PLINCT-ND
  别名：SPD09P06PLINCT
  SPD09P06PLXTINCT
  SPD09P06PLXTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 30A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD30P06P
  仓库库存编号：SPD30P06PINCT-ND
  别名：SPD30P06PINCT
  SPD30P06PXTINCT
  SPD30P06PXTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 57A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 57A（Tc） 92W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ44VZ
  仓库库存编号：IRFZ44VZ-ND
  别名：*IRFZ44VZ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 57A（Tc） 92W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ44VZS
  仓库库存编号：IRFZ44VZS-ND
  别名：*IRFZ44VZS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 57A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 57A（Tc） 92W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFZ44VZL
  仓库库存编号：IRFZ44VZL-ND
  别名：*IRFZ44VZL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 75A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 75A（Tc） 140W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF1010EZL
  仓库库存编号：IRF1010EZL-ND
  别名：*IRF1010EZL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 75A（Tc） 140W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF1010EZS
  仓库库存编号：IRF1010EZS-ND
  别名：*IRF1010EZS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 75A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF1010EZ
  仓库库存编号：IRF1010EZ-ND
  别名：*IRF1010EZ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 115A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 115A（Tc） 270W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB4215
  仓库库存编号：IRFB4215-ND
  别名：*IRFB4215
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 39A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 39A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRFIZ48VPBF
  仓库库存编号：IRFIZ48VPBF-ND
  别名：*IRFIZ48VPBF
  SP001556666
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 28A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 28A（Tc） 68W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ34EPBF
  仓库库存编号：IRFZ34EPBF-ND
  别名：*IRFZ34EPBF
  SP001567916
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 115A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 115A（Tc） 270W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB4215PBF
  仓库库存编号：IRFB4215PBF-ND
  别名：*IRFB4215PBF
  SP001577800
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 1.6A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRFL1006PBF
  仓库库存编号：IRFL1006PBF-ND
  别名：*IRFL1006PBF
  SP001571088
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 130A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 130A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP064VPBF
  仓库库存编号：IRFP064VPBF-ND
  别名：*IRFP064VPBF
  SP001556686
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 14A（Tc） 29W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRFIZ24EPBF
  仓库库存编号：IRFIZ24EPBF-ND
  别名：*IRFIZ24EPBF
  SP001575814
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 75A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 75A（Tc） 140W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF1010EZLPBF
  仓库库存编号：IRF1010EZLPBF-ND
  别名：*IRF1010EZLPBF
  SP001574512
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 86A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MN
  
  型号：IRF6648TR1
  仓库库存编号：IRF6648CT-ND
  别名：IRF6648CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 60V 3.1A, 2A 2W Surface Mount PG-DSO-8
  
  型号：BSO615CT
  仓库库存编号：BSO615CXTINCT-ND
  别名：BSO615CXTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP170PE6327T
  仓库库存编号：BSP170PE6327XTINCT-ND
  别名：BSP170PE6327XTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP171PE6327T
  仓库库存编号：BSP171PE6327XTINCT-ND
  别名：BSP171PE6327XTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 1.8A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP295E6327T
  仓库库存编号：BSP295XTINCT-ND
  别名：BSP295XTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.17A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP315PE6327T
  仓库库存编号：BSP315PXTINCT-ND
  别名：BSP315PXTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 73A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 73A（Tc） 166W（Tc） D2PAK
  
  型号：PHB73N06T,118
  仓库库存编号：PHB73N06T,118-ND
  别名：934056645118
  PHB73N06T /T3
  PHB73N06T /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 10.3A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 10.3A（Tc） 33W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP3055E,127
  仓库库存编号：PHP3055E,127-ND
  别名：934050050127
  PHP3055E
  PHP3055E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 34A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 34A（Tc） 97W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP32N06LT,127
  仓库库存编号：PHP32N06LT,127-ND
  别名：934056955127
  PHP32N06LT
  PHP32N06LT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
• 搜索