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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 84A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 84A（Tc） 200W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF1010EL
  仓库库存编号：IRF1010EL-ND
  别名：*IRF1010EL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 48A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 48A（Tc） 110W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFZ44EL
  仓库库存编号：IRFZ44EL-ND
  别名：*IRFZ44EL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 84A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF1010ESTRR
  仓库库存编号：IRF1010ESTRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 1.6A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRFL1006TR
  仓库库存编号：IRFL1006TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 5.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9014N
  仓库库存编号：IRFR9014N-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 48A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ44ESTRL
  仓库库存编号：IRFZ44ESTRL-ND
  别名：SP001552444
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 55A（Tc） 115W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ44VS
  仓库库存编号：IRFZ44VS-ND
  别名：*IRFZ44VS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 5.1A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 5.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU9014N
  仓库库存编号：IRFU9014N-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 72A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 72A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ48VS
  仓库库存编号：IRFZ48VS-ND
  别名：*IRFZ48VS
  SP001557876
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 55A（Tc） 115W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ44VSTRL
  仓库库存编号：IRFZ44VSTRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 55A（Tc） 115W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ44VSTRR
  仓库库存编号：IRFZ44VSTRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 8.8A（Tc） 42W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：SPP08P06PBKSA1
  仓库库存编号：SPP08P06PBKSA1-ND
  别名：SP000012085
  SPP08P06P
  SPP08P06PIN
  SPP08P06PIN-ND
  SPP08P06PX
  SPP08P06PXK
  SPP08P06PXTIN
  SPP08P06PXTIN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 18.7A（Ta） 81.1W（Ta） PG-TO-220-3
  
  型号：SPP18P06PHKSA1
  仓库库存编号：SPP18P06PHKSA1-ND
  别名：SP000012300
  SPP18P06P
  SPP18P06PIN
  SPP18P06PIN-ND
  SPP18P06PX
  SPP18P06PXK
  SPP18P06PXTIN
  SPP18P06PXTIN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 1.8A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP295E6327
  仓库库存编号：BSP295INCT-ND
  别名：BSP295INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.17A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP315P-E6327
  仓库库存编号：BSP315PINCT-ND
  别名：BSP315PE6327
  BSP315PINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS138N-E6327
  仓库库存编号：BSS138NEINCT-ND
  别名：BSS138INCT
  BSS138INCT-ND
  BSS138NE6327
  BSS138NEINCT
  BSS138NEXTINCT
  BSS138NEXTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS84P-E6327
  仓库库存编号：BSS84PINCT-ND
  别名：BSS84PE6327
  BSS84PINCT
  BSS84PXTINCT
  BSS84PXTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 9.7A TO-251
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 9.7A（Tc） 42W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：SPU09P06PL
  仓库库存编号：SPU09P06PLIN-ND
  别名：SP000012876
  SPU09P06PLIN
  SPU09P06PLX
  SPU09P06PLXTIN
  SPU09P06PLXTIN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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  MOSFET P-CH 60V 80A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 80A（Tc） 340W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：SPP80P06PBKSA1
  仓库库存编号：SPP80P06PBKSA1-ND
  别名：SP000012840
  SPP80P06P
  SPP80P06PIN
  SPP80P06PIN-ND
  SPP80P06PX
  SPP80P06PXK
  SPP80P06PXTIN
  SPP80P06PXTIN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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  MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-251
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 8.83A（Ta） 42W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：SPU08P06P
  仓库库存编号：SPU08P06PIN-ND
  别名：SP000012086
  SPU08P06PIN
  SPU08P06PX
  SPU08P06PXTIN
  SPU08P06PXTIN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 2A 2W Surface Mount P-DSO-8
  
  型号：BSO612CV
  仓库库存编号：BSO612CVINCT-ND
  别名：BSO612CVINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2.6A 2W Surface Mount PG-DSO-8
  
  型号：BSO615N
  仓库库存编号：BSO615NINCT-ND
  别名：BSO615NINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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  MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP170PE6327
  仓库库存编号：BSP170PE6327INCT-ND
  别名：BSP170PE6327INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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  MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP171PE6327
  仓库库存编号：BSP171PE6327INCT-ND
  别名：BSP171PE6327INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 330mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS83PE6327
  仓库库存编号：BSS83PE6327INCT-ND
  别名：BSS83PE6327INCT
  BSS83PE6327XTINCT
  BSS83PE6327XTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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