产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 6.1A VS6
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 6.1A(Ta) 700mW(Ta) VS-6(2.9x2.8)
型号:
TPC6010-H(TE85L,FM
仓库库存编号:
TPC6010-H(TE85LFM-ND
别名:TPC6010-H(TE85LFM
TPC6010HTE85LFM
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 23A 8HSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 23A(Tc) 1W(Ta),60W(Tc) 8-HSON
型号:
NP23N06YDG-E1-AY
仓库库存编号:
NP23N06YDG-E1-AYTR-ND
别名:NP23N06YDG-E1-AY-ND
NP23N06YDG-E1-AYTR
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 33A(Tc) 1W(Ta),97W(Tc) 8-HSON
型号:
NP33N06YDG-E1-AY
仓库库存编号:
NP33N06YDG-E1-AYTR-ND
别名:NP33N06YDG-E1-AY-ND
NP33N06YDG-E1-AYTR
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 60V 36A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 36A(Tc) 1.8W(Ta),56W(Tc) TO-263
型号:
NP36P06KDG-E1-AY
仓库库存编号:
NP36P06KDG-E1-AYCT-ND
别名:NP36P06KDG-E1-AYCT
NP36P06KDGE1AY
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 80A(Tc) 1.8W(Ta),115W(Tc) TO-263
型号:
NP80N06PLG-E1B-AY
仓库库存编号:
NP80N06PLG-E1B-AYCT-ND
别名:NP80N06PLG-E1B-AYCT
NP80N06PLGE1BAY
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 60V 83A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 83A(Tc) 1.8W(Ta),150W(Tc) TO-263
型号:
NP83P06PDG-E1-AY
仓库库存编号:
NP83P06PDG-E1-AYCT-ND
别名:NP83P06PDG-E1-AYCT
NP83P06PDGE1AY
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 90A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 1.2W(Ta),105W(Tc) TO-252
型号:
NP90N06VLG-E1-AY
仓库库存编号:
NP90N06VLG-E1-AYCT-ND
别名:NP90N06VLG-E1-AYCT
NP90N06VLGE1AY
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 30A(Ta) 55W(Tc) LFPAK
型号:
RJK0654DPB-00#J5
仓库库存编号:
RJK0654DPB-00#J5CT-ND
别名:RJK0654DPB-00#J5CT
RJK0654DPB00J5
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 38A SMP-FD
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 38A(Ta) 1.65W(Ta),65W(Tc) SMP-FD
型号:
2SJ661-DL-E
仓库库存编号:
2SJ661-DL-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 40A SMP-FD
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 40A(Ta) 1.65W(Ta),50W(Tc) SMP-FD
型号:
2SK3816-DL-E
仓库库存编号:
2SK3816-DL-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 60A SMP-FD
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 60A(Ta) 1.65W(Ta),65W(Tc) SMP-FD
型号:
2SK3817-DL-E
仓库库存编号:
2SK3817-DL-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 40A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 40A(Ta) 1.75W(Ta),45W(Tc) TO-220
型号:
2SK3823
仓库库存编号:
2SK3823-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 60A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60V 60A(Ta) 1.75W(Ta),60W(Tc) TO-220
型号:
2SK3824
仓库库存编号:
2SK3824-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 78A TO-220ML
详细描述:通孔 P 沟道 60V 78A(Ta) 2W(Ta),40W(Tc) TO-220ML
型号:
BMS3003
仓库库存编号:
BMS3003-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A TP
详细描述:通孔 N 沟道 60V 20A(Ta) 1W(Ta),23W(Tc) TP
型号:
SFT1446-H
仓库库存编号:
SFT1446-H-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 3A VEC8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3A 1W Surface Mount 8-VEC
型号:
VEC2415-TL-E
仓库库存编号:
VEC2415-TL-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 1.6A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 1.6A(Tc) 3.3W(Tc) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SQ1420EEH-T1-GE3
仓库库存编号:
SQ1420EEH-T1-GE3CT-ND
别名:SQ1420EEH-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 2.5A(Tc) 2W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SQ2361EES-T1-GE3
仓库库存编号:
SQ2361EES-T1-GE3CT-ND
别名:SQ2361EES-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 5.5A(Tc) 5W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3427EEV-T1-GE3
仓库库存编号:
SQ3427EEV-T1-GE3CT-ND
别名:SQ3427EEV-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 7A(Tc) 5W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3426EEV-T1-GE3
仓库库存编号:
SQ3426EEV-T1-GE3CT-ND
别名:SQ3426EEV-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 4.4A(Tc) 3W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SQ2360EES-T1-GE3
仓库库存编号:
SQ2360EES-T1-GE3CT-ND
别名:SQ2360EES-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 115mA(Tc) 200mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
2N7002MTF
仓库库存编号:
2N7002MTFCT-ND
别名:2N7002MTFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 15A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 15A(Ta),85A(Tc) 2.3W(Ta),83W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6244
仓库库存编号:
785-1336-1-ND
别名:785-1336-1
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 10A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 10A(Ta),46A(Tc) 2.5W(Ta),71.5W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD2610
仓库库存编号:
785-1349-1-ND
别名:785-1349-1
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 12A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 12A(Ta),178A(Tc) 2.1W(Ta),417W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB1606L
仓库库存编号:
785-1321-1-ND
别名:785-1321-1
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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