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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 18A（Tc） 3.8W（Ta），82W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：SFW9Z34TM
  仓库库存编号：SFW9Z34TM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 60V 14A TO220NIS
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 14A（Ta） 40W（Tc） TO-220NIS
  
  型号：2SJ304(F)
  仓库库存编号：2SJ304(F)-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 60V 1A SC-62
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1A（Ta） 500mW（Ta） PW-MINI
  
  型号：2SJ360(F)
  仓库库存编号：2SJ360(F)-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 60V 1A SC-62
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1A（Ta） 500mW（Ta） PW-MINI
  
  型号：2SJ360(TE12L,F)
  仓库库存编号：2SJ360(TE12L,F)-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 5A（Ta） 20W（Ta） PW-MOLD2
  
  型号：2SJ681(Q)
  仓库库存编号：2SJ681(Q)-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 35A（Ta） 35W（Tc） TO-220NIS
  
  型号：2SK3662(F)
  仓库库存编号：2SK3662(F)-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 45A TO220NIS
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 45A（Ta） 45W（Tc） TO-220NIS
  
  型号：2SK3844(Q)
  仓库库存编号：2SK3844(Q)-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 35A 8-SOP ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 35A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8048-H(TE12L,Q
  仓库库存编号：TPCA8048-HTE12LQCT-ND
  别名：TPCA8048-HTE12LQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH80N06
  仓库库存编号：IXFH80N06-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 0.5A TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 500mA（Ta） 350mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：BS170RLRMG
  仓库库存编号：BS170RLRMGOSCT-ND
  别名：BS170RLRMGOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 0.5A TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 500mA（Ta） 350mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：BS170ZL1G
  仓库库存编号：BS170ZL1GOSCT-ND
  别名：BS170ZL1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 60A（Ta） 2.4W（Ta），150W（Tj） D2PAK
  
  型号：NTB60N06LT4G
  仓库库存编号：NTB60N06LT4GOSCT-ND
  别名：NTB60N06LT4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 75A（Ta） 2.4W（Ta），214W（Tj） D2PAK
  
  型号：NTB75N06T4G
  仓库库存编号：NTB75N06T4GOSCT-ND
  别名：NTB75N06T4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 150mA（Ta） 400mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：VN2222LLRLRAG
  仓库库存编号：VN2222LLRLRAGOSCT-ND
  别名：VN2222LLRLRAGOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 100A（Ta） 1.75W（Ta），75W（Tc） TO-220-3
  
  型号：2SK4171
  仓库库存编号：869-1048-ND
  别名：869-1048
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 50A ATPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Ta） 50W（Tc） ATPAK
  
  型号：ATP213-TL-H
  仓库库存编号：869-1085-1-ND
  别名：869-1085-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A ECH8
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 2A 1.5W Surface Mount 8-ECH
  
  型号：ECH8619-TL-E
  仓库库存编号：869-1156-1-ND
  别名：869-1156-1
  ECH8619TLE
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 231W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FDI040N06
  仓库库存编号：FDI040N06-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 120A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 231W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FDP040N06
  仓库库存编号：FDP040N06-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 231W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB039N06
  仓库库存编号：FDB039N06CT-ND
  别名：FDB039N06CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 340MA SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 340mA（Ta） 830mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：2N7002K,215
  仓库库存编号：568-4984-1-ND
  别名：568-4984-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 200mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6)
  
  型号：SSM6N7002BFE(T5L,F
  仓库库存编号：SSM6N7002BFE(T5LFCT-ND
  别名：SSM6N7002BFE(T5LFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 200mA 300mW Surface Mount US6
  
  型号：SSM6N7002BFU(T5L,F
  仓库库存编号：SSM6N7002BFU(T5LFCT-ND
  别名：SSM6N7002BFU(T5LFCT
  SSM6N7002BFULF(TCT
  SSM6N7002BFULF(TCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 8A（Ta） 8-SOP
  
  型号：RSS080N05FU6TB
  仓库库存编号：RSS080N05FU6TB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 185mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：TP0610K-T1
  仓库库存编号：TP0610K-T1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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