产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 25A, 30A 22W, 40W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7998DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7998DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7998DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 70A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD042P03L3GATMA1
仓库库存编号:
IPD042P03L3GATMA1CT-ND
别名:IPD042P03L3GATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 10.5A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4413ADY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4413ADY-T1-E3CT-ND
别名:SI4413ADY-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIR
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 40A 48W, 100W Surface Mount 8-PowerPair?
型号:
SIZ910DT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIZ910DT-T1-GE3CT-ND
别名:SIZ910DT-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 184A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 130A(Tc) 125W(Tc) TO-220-3
型号:
IRLB8314PBF
仓库库存编号:
IRLB8314PBF-ND
别名:64-0101PBF
64-0101PBF-ND
SP001572766
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 92A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Ta),92A(Tc) 80W(Tc) TO-220AB
型号:
FDP8896
仓库库存编号:
FDP8896-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4890DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4890DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4890DY-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 48A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.7A(Ta),48A(Tc) 920mW(Ta),23.2W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4955NT1G
仓库库存编号:
NTMFS4955NT1GOSCT-ND
别名:NTMFS4955NT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSMT
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta) 2W(Ta),17.2W(Tc) 8-HSMT(3.2x3)
型号:
RQ3E150GNTB
仓库库存编号:
RQ3E150GNTBCT-ND
别名:RQ3E150GNTBCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.2A(Ta) 1.55W(Ta) 8-SOP
型号:
DMG4712SSS-13
仓库库存编号:
DMG4712SSS-13DICT-ND
别名:DMG4712SSS-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta) 2W(Ta) HUML2020L8
型号:
RF4E080BNTR
仓库库存编号:
RF4E080BNTRCT-ND
别名:RF4E080BNTRCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 30V 14A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4492
仓库库存编号:
785-1290-1-ND
别名:785-1290-1
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI
详细描述:表面贴装 N 沟道 17.6A(Ta) 900mW(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMN3008SFG-7
仓库库存编号:
DMN3008SFG-7DICT-ND
别名:DMN3008SFG-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.5A(Ta) 1.4W(Ta) 8-SO
型号:
SI4420BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4420BDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4420BDY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 44A DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 44A(Ta),85A(Tc) 6.2W(Ta),48W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6792
仓库库存编号:
785-1744-1-ND
别名:785-1744-1
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35.6A(Tc) 3.9W(Ta),29.8W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7772DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7772DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7772DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta) 3W(Ta),33W(Tc) 8-HSOP
型号:
RS1E300GNTB
仓库库存编号:
RS1E300GNTBCT-ND
别名:RS1E300GNTBCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7809AVTRPBF
仓库库存编号:
IRF7809AVPBFCT-ND
别名:*IRF7809AVTRPBF
IRF7809AVPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),48W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR460DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR460DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR460DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A 27W, 30W Surface Mount 6-PowerPair?
型号:
SIZ702DT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIZ702DT-T1-GE3CT-ND
别名:SIZ702DT-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 15A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Tc) 62.5W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL56N3LLH5
仓库库存编号:
497-11849-1-ND
别名:497-11849-1
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 31A(Ta),49A(Tc) 2.5W(Ta),96W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS7656AS
仓库库存编号:
FDMS7656ASCT-ND
别名:FDMS7656ASCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 48A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 48A(Tc) 60W(Tc) I-Pak
型号:
STU60N3LH5
仓库库存编号:
497-12697-5-ND
别名:497-12697-5
STU60N3LH5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),48W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7634BDP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7634BDP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7634BDP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 120A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 136W(Tc) TO-220
型号:
STP160N3LL
仓库库存编号:
497-16021-5-ND
别名:497-16021-5
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