产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD031N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPD031N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD021N03LGINCT
IPD021N03LGINCT-ND
IPD031N03LGINCT
IPD031N03LGINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7832TRPBF
仓库库存编号:
IRF7832PBFCT-ND
别名:*IRF7832TRPBF
IRF7832PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 94W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU039N03LGXK
仓库库存编号:
IPU039N03LGXK-ND
别名:IPU039N03L G
IPU039N03LGIN
IPU039N03LGIN-ND
SP000256162
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 238W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN1R0-30YLDX
仓库库存编号:
1727-1859-1-ND
别名:1727-1859-1
568-11555-1
568-11555-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB034N03L G
仓库库存编号:
IPB034N03LGINCT-ND
别名:IPB034N03LGINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 204W(Tc) D2PAK
型号:
BUK662R5-30C,118
仓库库存编号:
1727-5520-1-ND
别名:1727-5520-1
568-6999-1
568-6999-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7328TRPBF
仓库库存编号:
IRF7328PBFCT-ND
别名:*IRF7328TRPBF
IRF7328PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 40A 68W Surface Mount LFPAK56D
型号:
BUK7K5R1-30E,115
仓库库存编号:
1727-7266-1-ND
别名:1727-7266-1
568-9896-1
568-9896-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 255W(Tc) D2PAK
型号:
BUK763R4-30B,118
仓库库存编号:
1727-5253-1-ND
别名:1727-5253-1
568-6577-1
568-6577-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD06N03LB G
仓库库存编号:
IPD06N03LBGINCT-ND
别名:IPD06N03LBG
IPD06N03LBGINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
详细描述:表面贴装 P 沟道 12.6A(Ta) 1.79W(Ta) P-DSO-8
型号:
BSO080P03S H
仓库库存编号:
BSO080P03S HCT-ND
别名:BSO080P03S HCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 14.6A(Ta),40A(Tc) 2.8W(Ta),60W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC079N03SG
仓库库存编号:
BSC079N03SGINCT-ND
别名:BSC079N03SGINCT
BSC079N03SGXTINCT
BSC079N03SGXTINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 211W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN2R0-30BL,118
仓库库存编号:
1727-7113-1-ND
别名:1727-7113-1
568-9483-1
568-9483-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 30A TDSON-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Ta),30A(Tc) 2.5W(Ta),89W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC080P03LS G
仓库库存编号:
BSC080P03LS GCT-ND
别名:BSC080P03LS GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
BUK962R8-30B,118
仓库库存编号:
1727-5262-1-ND
别名:1727-5262-1
568-6587-1
568-6587-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB03N03LB G
仓库库存编号:
IPB03N03LBGINCT-ND
别名:IPB03N03LBG
IPB03N03LBGINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 306W(Tc) D2PAK
型号:
PSMNR90-30BL,118
仓库库存编号:
1727-7110-1-ND
别名:1727-7110-1
568-9480-1
568-9480-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 0.154A SOT-416
详细描述:表面贴装 N 沟道 154mA(Tj) 300mW(Tj) SC-75,SOT-416
型号:
NTA7002NT1G
仓库库存编号:
NTA7002NT1GOSCT-ND
别名:NTA7002NT1G-ND
NTA7002NT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 2A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.8A(Ta) 1.4W(Ta) SOT-23-3L
型号:
AO3424
仓库库存编号:
785-1017-1-ND
别名:785-1017-1
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.8A, 2.5A 850mW Surface Mount TSOT-26
型号:
DMG6601LVT-7
仓库库存编号:
DMG6601LVT-7DICT-ND
别名:DMG6601LVT-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.4A, 2.8A 840mW Surface Mount TSOT-23-6
型号:
DMG6602SVT-7
仓库库存编号:
DMG6602SVT-7DICT-ND
别名:DMG6602SVT-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 480mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
NTR4170NT1G
仓库库存编号:
NTR4170NT1GOSCT-ND
别名:NTR4170NT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.4A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
型号:
NDS351AN
仓库库存编号:
NDS351ANCT-ND
别名:NDS351ANCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.2A(Ta) 290mW(Ta) SC-70-3(SOT323)
型号:
NTS4173PT1G
仓库库存编号:
NTS4173PT1GOSCT-ND
别名:NTS4173PT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.5A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
型号:
FDN358P
仓库库存编号:
FDN358PCT-ND
别名:FDN358PCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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