以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），28A（Tc） 2.5W（Ta），48W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS7676
  仓库库存编号：FDMS7676CT-ND
  别名：FDMS7676CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 60A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 60W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB7030BL
  仓库库存编号：FDB7030BLCT-ND
  别名：FDB7030BLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 9A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 2W（Ta），50W（Tc） PowerFlat?（3.3x3.3）
  
  型号：STL10N3LLH5
  仓库库存编号：497-11843-1-ND
  别名：497-11843-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 9A MPT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Ta） 2W（Ta） MPT6
  
  型号：RP1E090RPTR
  仓库库存编号：RP1E090RPCT-ND
  别名：RP1E090RPCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 60W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD50N03L
  仓库库存编号：497-7970-1-ND
  别名：497-7970-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.2A 1.8W Surface Mount 8-SO
  
  型号：ZXMP3A16DN8TA
  仓库库存编号：ZXMP3A16DN8CT-ND
  别名：ZXMP3A16DN8CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.3A（Tc） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7112DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7112DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7112DN-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 3.1W（Ta），5.4W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4396DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4396DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4396DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.3A（Tc） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7112DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7112DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7112DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP034N03LGXKSA1
  仓库库存编号：IPP034N03LGXKSA1-ND
  别名：IPP034N03L G
  IPP034N03LGIN
  IPP034N03LGIN-ND
  IPP034N03LGXK
  SP000680772
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR166DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR166DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR166DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 30V 40A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 49A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：STD37P3H6AG
  仓库库存编号：497-15964-1-ND
  别名：497-15964-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD17305Q5A
  仓库库存编号：296-25855-1-ND
  别名：296-25855-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），50A（Tc） 3.2W（Ta），56W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD6030L
  仓库库存编号：FDD6030LCT-ND
  别名：FDD6030LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 19A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），93A（Tc） 80W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB8896_F085
  仓库库存编号：FDB8896_F085CT-ND
  别名：FDB8896_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 69W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7149DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7149DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7149DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 75A ATPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 75A（Ta） 60W（Tc） ATPAK
  
  型号：ATP104-TL-H
  仓库库存编号：869-1074-1-ND
  别名：869-1074-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），93A（Tc） 80W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB8896
  仓库库存编号：FDB8896CT-ND
  别名：FDB8896CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.4A, 3.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4539ADY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4539ADY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4539ADY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 30A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30A（Tc） 75W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：NDB6030PL
  仓库库存编号：NDB6030PLFSCT-ND
  别名：NDB6030PLFSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RSS090P03TB
  仓库库存编号：RSS090P03TBCT-ND
  别名：RSS090P03TBCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 5.8A, 8.2A 1W, 1.25W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4816BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4816BDY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4816BDY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Texas Instruments
  MOSFET 2N-CH 30V 25A 8SON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 25A 8.5W Surface Mount 8-LSON (5x6)
  
  型号：CSD87352Q5D
  仓库库存编号：296-29161-1-ND
  别名：296-29161-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 13A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS6679
  仓库库存编号：FDS6679CT-ND
  别名：FDS6679CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 21A 8DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 21A（Ta），85A（Tc） 2.3W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6403
  仓库库存编号：785-1339-1-ND
  别名：785-1339-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 
  
  无铅
• 搜索