产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(5185)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
(916)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(4208)
晶体管 - JFET
(61)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(493)
Central Semiconductor Corp(21)
Diodes Incorporated(354)
EPC(5)
Fairchild/ON Semiconductor(468)
Infineon Technologies(1038)
Micro Commercial Co(15)
Microchip Technology(4)
Microsemi Corporation(20)
Nexperia USA Inc.(226)
NXP USA Inc.(114)
ON Semiconductor(620)
Panasonic Electronic Components(29)
Renesas Electronics America(65)
Rohm Semiconductor(285)
Sanken(11)
STMicroelectronics(196)
Taiwan Semiconductor Corporation(153)
Texas Instruments(71)
Torex Semiconductor Ltd(4)
Toshiba Semiconductor and Storage(160)
Trinamic Motion Control GmbH(2)
Vishay Siliconix(831)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 140A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3803STRLPBF
仓库库存编号:
IRL3803STRLPBFCT-ND
别名:IRL3803STRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 25.4A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),125W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC030P03NS3 G
仓库库存编号:
BSC030P03NS3 GCT-ND
别名:BSC030P03NS3 GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
BUK762R7-30B,118
仓库库存编号:
1727-5251-1-ND
别名:1727-5251-1
568-6575-1
568-6575-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 401W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN1R5-30BLEJ
仓库库存编号:
1727-1101-1-ND
别名:1727-1101-1
568-10256-1
568-10256-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 140A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR7833
仓库库存编号:
IRLR7833-ND
别名:*IRLR7833
SP001568746
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF
详细描述:表面贴装 N 沟道 300A(Tc) 3.8W(Ta),300W(Tc) PG-HSOF-8-1
型号:
IPT004N03LATMA1
仓库库存编号:
IPT004N03LATMA1CT-ND
别名:IPT004N03LATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 27A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 27A(Tc) 45W(Tc) TO-220AB
型号:
STP27N3LH5
仓库库存编号:
497-9095-5-ND
别名:497-9095-5
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET 2N-CH 30V 15A 5PTAB
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 15A 4W Surface Mount 5-PTAB (3x2.5)
型号:
CSD87381PT
仓库库存编号:
296-37751-1-ND
别名:296-37751-1
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 54A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Ta),54A(Tc) 55W(Tc) TO-220AB
型号:
FDP8880
仓库库存编号:
FDP8880FS-ND
别名:FDP8880-ND
FDP8880FS
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 60A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Ta) 60W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP7030BL
仓库库存编号:
FDP7030BLFS-ND
别名:FDP7030BL-ND
FDP7030BLFS
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 650mA(Tj) 740mW(Ta) TO-92-3
型号:
VP3203N3-G
仓库库存编号:
VP3203N3-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 70W(Tc) I-Pak
型号:
STU85N3LH5
仓库库存编号:
497-12702-5-ND
别名:497-12702-5
STU85N3LH5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 5.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.6A(Ta) 1.9W(Ta) 8-SO
型号:
ZXMP3A16N8TA
仓库库存编号:
ZXMP3A16N8CT-ND
别名:ZXMP3A16N8CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta) 3.1W(Ta),36W(Tc) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD17579Q5AT
仓库库存编号:
296-41100-1-ND
别名:296-41100-1
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 78A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 78A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB
型号:
IRLB4132PBF
仓库库存编号:
IRLB4132PBF-ND
别名:SP001558130
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 68W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP055N03LGXKSA1
仓库库存编号:
IPP055N03LGXKSA1-ND
别名:IPP055N03L G
IPP055N03LGIN
IPP055N03LGIN-ND
IPP055N03LGXK
SP000680806
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.5A 1.81W Surface Mount 8-SO
型号:
ZXMN3A04DN8TA
仓库库存编号:
ZXMN3A04DN8CT-ND
别名:ZXMN3A04DN8CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 136W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N03S4L-03
仓库库存编号:
IPP80N03S4L-03-ND
别名:IPP80N03S4L03
IPP80N03S4L03AKSA1
SP000275328
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 114A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Ta),114A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
FDP8874
仓库库存编号:
FDP8874FS-ND
别名:FDP8874-ND
FDP8874FS
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 140A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3803PBF
仓库库存编号:
IRL3803PBF-ND
别名:*IRL3803PBF
SP001557982
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 254W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP8860
仓库库存编号:
FDP8860-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Ta) 3W(Ta),53W(Tc) 8-VSONP(3x3.15)
型号:
CSD17577Q5AT
仓库库存编号:
296-38337-1-ND
别名:296-38337-1
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Ta) 2.8W(Ta),108W(Tc) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD17575Q3T
仓库库存编号:
296-37961-1-ND
别名:296-37961-1
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 160A(Tc) 195W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
IRLS3813TRLPBF
仓库库存编号:
IRLS3813TRLPBFCT-ND
别名:IRLS3813TRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 161A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 161A(Tc) 140W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRLU7843PBF
仓库库存编号:
IRLU7843PBF-ND
别名:*IRLU7843PBF
SP001578952
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号