产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7831TRPBF
仓库库存编号:
IRF7831PBFCT-ND
别名:*IRF7831TRPBF
IRF7831PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.5W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7389TRPBF
仓库库存编号:
IRF7389PBFCT-ND
别名:*IRF7389TRPBF
IRF7389PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta),72A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? ST
型号:
IRF6626
仓库库存编号:
IRF6626CT-ND
别名:IRF6626CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 17.7A TDSON-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 17.7A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC060P03NS3E G
仓库库存编号:
BSC060P03NS3E GCT-ND
别名:BSC060P03NS3E GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20A(Tc) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9310TRPBF
仓库库存编号:
IRF9310TRPBFCT-ND
别名:IRF9310TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 40A 64W Surface Mount LFPAK56D
型号:
BUK7K5R6-30E,115
仓库库存编号:
1727-7267-1-ND
别名:1727-7267-1
568-9897-1
568-9897-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3709PBF
仓库库存编号:
IRF3709PBF-ND
别名:*IRF3709PBF
SP001570060
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 12.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4420DYTRPBF
仓库库存编号:
SI4420DYPBFCT-ND
别名:*SI4420DYTRPBF
SI4420DYPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta). 40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ019N03LS
仓库库存编号:
BSZ019N03LSCT-ND
别名:BSZ019N03LSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8
详细描述:表面贴装 N 沟道 32A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),125W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC016N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC016N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC016N03LS GCT
BSC016N03LS GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3A 1.4W Surface Mount 8-SO
型号:
AUIRF7309QTR
仓库库存编号:
AUIRF7309QCT-ND
别名:AUIRF7309QCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC014N03LS G
仓库库存编号:
BSC014N03LS GCT-ND
别名:BSC014N03LS GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 37A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 37A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),96W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC011N03LSI
仓库库存编号:
BSC011N03LSICT-ND
别名:BSC011N03LSICT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Ta),100A(Tc) 3.7W(Ta),156W(Tc) 8-PQFN(5x6)
型号:
IRFH8303TRPBF
仓库库存编号:
IRFH8303TRPBFCT-ND
别名:IRFH8303TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.9A 2.4W Surface Mount 8-SO
型号:
AUIRF7313QTR
仓库库存编号:
AUIRF7313QCT-ND
别名:AUIRF7313QCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 7A 8DSO
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 7A 2W Surface Mount PG-DSO-8
型号:
BSO303P H
仓库库存编号:
BSO303P HCT-ND
别名:BSO303P HCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7458TRPBF
仓库库存编号:
IRF7458PBFCT-ND
别名:*IRF7458TRPBF
IRF7458PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 106A 2WDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta),106A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSF024N03LT3GXUMA1
仓库库存编号:
BSF024N03LT3GXUMA1CT-ND
别名:BSF024N03LT3 GCT
BSF024N03LT3 GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150A(Tc) 140W(Tc) D2PAK
型号:
IRL7833STRLPBF
仓库库存编号:
IRL7833STRLPBFCT-ND
别名:IRL7833STRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta),150A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6678
仓库库存编号:
IRF6678CT-ND
别名:IRF6678CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N03S203T
仓库库存编号:
SPB100N03S203XTINCT-ND
别名:SPB100N03S203XTINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Ta),100A(Tc) 3.6W(Ta),156W(Tc) 8-PQFN(5x6)
型号:
IRFH8307TRPBF
仓库库存编号:
IRFH8307TRPBFCT-ND
别名:IRFH8307TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD50N03S2L06T
仓库库存编号:
SPD50N03S2L06XTINCT-ND
别名:SPD50N03S2L06XTINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 115W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD04N03LB G
仓库库存编号:
IPD04N03LBGINCT-ND
别名:IPD04N03LBG
IPD04N03LBGINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
BUK9605-30A,118
仓库库存编号:
1727-7187-1-ND
别名:1727-7187-1
568-9673-1
568-9673-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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