产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 11A 8DSO
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO083N03MSGXUMA1
仓库库存编号：
BSO083N03MSGXUMA1CT-ND
别名：BSO083N03MS GINCT
BSO083N03MS GINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Ta），18A（Tc） 2.1W（Ta），37W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ0904NSI
仓库库存编号：
BSZ0904NSICT-ND
别名：BSZ0904NSICT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 15A 8TSDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），27W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ0506NSATMA1
仓库库存编号：
BSZ0506NSATMA1CT-ND
别名：BSZ0506NSATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD50N03S2L06ATMA1
仓库库存编号：
IPD50N03S2L06ATMA1CT-ND
别名：IPD50N03S2L06ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
PHC21025,118
仓库库存编号：
1727-1543-1-ND
别名：1727-1543-1
568-11059-1
568-11059-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
PHC21025,118
仓库库存编号：
1727-1543-6-ND
别名：1727-1543-6
568-11059-6
568-11059-6-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7413TRPBF
仓库库存编号：
IRF7413PBFCT-ND
别名：*IRF7413TRPBF
IRF7413PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 9.1A, 11A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF7907TRPBF
仓库库存编号：
IRF7907TRPBFCT-ND
别名：IRF7907TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7807TRPBF
仓库库存编号：
IRF7807PBFCT-ND
别名：*IRF7807TRPBF
IRF7807PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 179W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN1R5-30YLC,115
仓库库存编号：
1727-5297-1-ND
别名：1727-5297-1
568-6727-1
568-6727-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 109W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN1R7-30YL,115
仓库库存编号：
1727-4162-1-ND
别名：1727-4162-1
568-4678-1
568-4678-1-ND
PSMN1R730YL115
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 21A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），40A（Tc） 2.5W（Ta），48W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ0902NSI
仓库库存编号：
BSZ0902NSICT-ND
别名：BSZ0902NSICT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Ta），169A（Tc） 3.6W（Ta），96W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH8311TRPBF
仓库库存编号：
IRFH8311TRPBFCT-ND
别名：IRFH8311TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7862TRPBF
仓库库存编号：
IRF7862TRPBFCT-ND
别名：IRF7862TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC0901NS
仓库库存编号：
BSC0901NSCT-ND
别名：BSC0901NSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 194W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN1R2-30YLDX
仓库库存编号：
1727-1860-1-ND
别名：1727-1860-1
568-11556-1
568-11556-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.9A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF7316GTRPBF
仓库库存编号：
IRF7316GTRPBFCT-ND
别名：IRF7316GTRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Tc） 107W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3103TRPBF
仓库库存编号：
IRLR3103PBFCT-ND
别名：*IRLR3103TRPBF
IRLR3103PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 70A TO-263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB042N03L G
仓库库存编号：
IPB042N03LGINCT-ND
别名：IPB042N03LGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7416GTRPBF
仓库库存编号：
IRF7416GTRPBFCT-ND
别名：IRF7416GTRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ0901NSI
仓库库存编号：
BSZ0901NSICT-ND
别名：BSZ0901NSICT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta）. 100A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC025N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC025N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC025N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC025N03MSGINCT
BSC025N03MSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 158W（Tc） DPAK
型号：
BUK624R5-30C,118
仓库库存编号：
1727-5512-1-ND
别名：1727-5512-1
568-6991-1
568-6991-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 157W（Tc） DPAK
型号：
BUK724R5-30C,118
仓库库存编号：
1727-4698-1-ND
别名：1727-4698-1
568-5846-1
568-5846-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 28A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC0901NSI
仓库库存编号：
BSC0901NSICT-ND
别名：BSC0901NSICT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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