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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 91W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN3R0-30YLDX
  仓库库存编号：1727-1796-1-ND
  别名：1727-1796-1
  568-11379-1
  568-11379-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 67A（Tc） 85W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK7Y10-30B,115
  仓库库存编号：1727-4602-1-ND
  别名：1727-4602-1
  568-5512-1
  568-5512-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF8736TRPBF
  仓库库存编号：IRF8736TRPBFCT-ND
  别名：IRF8736TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 59A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 59A（Tc） 75W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK9Y11-30B,115
  仓库库存编号：1727-4939-1-ND
  别名：1727-4939-1
  568-6233-1
  568-6233-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD075N03LGATMA1
  仓库库存编号：IPD075N03LGATMA1CT-ND
  别名：IPD075N03LGINCT
  IPD075N03LGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 3.6A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7306TR
  仓库库存编号：IRF7306TR-ND
  别名：SP001551228
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 56W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD060N03LGATMA1
  仓库库存编号：IPD060N03LGATMA1CT-ND
  别名：IPD060N03LGINCT
  IPD060N03LGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），35W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ088N03MSGATMA1
  仓库库存编号：BSZ088N03MSGATMA1CT-ND
  别名：BSZ088N03MSGINCT
  BSZ088N03MSGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），45W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ058N03MSGATMA1
  仓库库存编号：BSZ058N03MSGATMA1CT-ND
  别名：BSZ058N03MSGINCT
  BSZ058N03MSGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 71A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），71A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC057N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC057N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC057N03LSGINCT
  BSC057N03LSGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13.6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7821TRPBF
  仓库库存编号：IRF7821PBFCT-ND
  别名：*IRF7821TRPBF
  IRF7821PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 3.6A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7306TRPBF
  仓库库存编号：IRF7306PBFCT-ND
  别名：*IRF7306TRPBF
  IRF7306PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7403TRPBF
  仓库库存编号：IRF7403PBFCT-ND
  别名：*IRF7403TRPBF
  IRF7403PBFCT
  
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 75A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 105W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK7Y07-30B,115
  仓库库存编号：1727-4600-1-ND
  别名：1727-4600-1
  568-5510-1
  568-5510-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Tc） 1.65W（Ta） SOT-223
  
  型号：BSP250,115
  仓库库存编号：1727-4930-1-ND
  别名：1727-4930-1
  568-6222-1
  568-6222-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 93A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），93A（Tc） 2.5W（Ta），57W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC042N03MSGATMA1
  仓库库存编号：BSC042N03MSGATMA1CT-ND
  别名：BSC042N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
  BSC042N03MSGINCT
  BSC042N03MSGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4410DYTRPBF
  仓库库存编号：SI4410DYPBFCT-ND
  别名：*SI4410DYTRPBF
  SI4410DYPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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  MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO051N03MS G
  仓库库存编号：BSO051N03MS GINCT-ND
  别名：BSO051N03MS GINCT
  BSO051N03MSG
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.6A, 11A 1.4W, 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7904TRPBF
  仓库库存编号：IRF7904TRPBFCT-ND
  别名：IRF7904TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD50N03S2L06GBTMA1
  仓库库存编号：SPD50N03S2L06GBTMA1CT-ND
  别名：SPD50N03S2L-06 GCT
  SPD50N03S2L-06 GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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  MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.8A, 8.9A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7905TRPBF
  仓库库存编号：IRF7905TRPBFCT-ND
  别名：IRF7905TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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  MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.6A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7326D2TRPBF
  仓库库存编号：IRF7326D2TRPBFCT-ND
  别名：IRF7326D2TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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  MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7811AVTRPBF
  仓库库存编号：IRF7811AVPBFCT-ND
  别名：*IRF7811AVTRPBF
  IRF7811AVPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 5.8A, 4.3A 2.5W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7379TRPBF
  仓库库存编号：IRF7379PBFCT-ND
  别名：*IRF7379TRPBF
  IRF7379PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），48W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ050N03MSGATMA1
  仓库库存编号：BSZ050N03MSGATMA1CT-ND
  别名：BSZ050N03MSGINCT
  BSZ050N03MSGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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