产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.44A(Ta) 940mW(Ta) U-DFN3030-8
型号:
DMG4800LFG-7
仓库库存编号:
DMG4800LFG-7DICT-ND
别名:DMG4800LFG-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A SSMINI6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 100mA 125mW Surface Mount SSMini6-F3-B
型号:
FC6943010R
仓库库存编号:
FC6943010RCT-ND
别名:FC6943010RCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.6A(Ta) 1.2W(Ta) TSOT-26
型号:
DMN3026LVTQ-7
仓库库存编号:
DMN3026LVTQ-7DICT-ND
别名:DMN3026LVTQ-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta) 2W(Ta) 8-HSMT(3.2x3)
型号:
RQ3E120BNTB
仓库库存编号:
RQ3E120BNTBCT-ND
别名:RQ3E120BNTBCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 17.1A VDFN30308
详细描述:表面贴装 N 沟道 17.1A(Ta),46.2A(Tc) 1.1W(Ta) V-DFN3030-8
型号:
DMT3006LDK-7
仓库库存编号:
DMT3006LDK-7DICT-ND
别名:DMT3006LDK-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SOP
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 8.1A, 7A 2.5W Surface Mount 8-SO
型号:
DMC3032LSD-13
仓库库存编号:
DMC3032LSD-13DICT-ND
别名:DMC3032LSD-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 9.8A 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.8A(Ta) 1.54W(Ta) 8-SO
型号:
DMS3016SSS-13
仓库库存编号:
DMS3016SSS-13DICT-ND
别名:DMS3016SSS-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI8
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.8A(Ta) 1.18W(Ta) PowerDI5060-8
型号:
DMN3016LPS-13
仓库库存编号:
DMN3016LPS-13DICT-ND
别名:DMN3016LPS-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.2A(Ta) 970mW(Ta) SOT-89
型号:
ZXMN3A01ZTA
仓库库存编号:
ZXMN3A01ZTADICT-ND
别名:ZXMN3A01ZTADICT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.5A, 4.2A 1.2W Surface Mount 8-SO
型号:
DMC3025LSD-13
仓库库存编号:
DMC3025LSD-13DICT-ND
别名:DMC3025LSD-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.8A(Tc) 1.25W(Ta),2.1W(Tc)
型号:
SI2366DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2366DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2366DS-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-SSOT
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.5A(Ta),8A(Tc) 1.6W(Ta) 6-SSOT
型号:
FDC8886
仓库库存编号:
FDC8886CT-ND
别名:FDC8886CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
型号:
SIA922EDJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA922EDJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA922EDJ-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 750MA DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 750mA(Ta) 470mW(Ta) 3-DFN
型号:
DMN3730UFB-7
仓库库存编号:
DMN3730UFB-7CT-ND
别名:DMN3730UFB-7CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9A(Tc) 2.8W(Tc) SOT-363
型号:
SI1416EDH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1416EDH-T1-GE3CT-ND
别名:SI1416EDH-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta) 2W(Ta) 8-HSMT(3.2x3)
型号:
RQ3E160ADTB
仓库库存编号:
RQ3E160ADTBCT-ND
别名:RQ3E160ADTBCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel Complementary 30V 5A, 7A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
AO4630
仓库库存编号:
800-3745-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 3A SC59
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 800mW(Ta) SC-59
型号:
DMG3401LSN-7
仓库库存编号:
DMG3401LSN-7DICT-ND
别名:DMG3401LSN-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 10.4A 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.4A(Ta) 1.55W(Ta) 8-SO
型号:
DMS3014SSS-13
仓库库存编号:
DMS3014SSS-13DICT-ND
别名:DMS3014SSS-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.9A(Ta) 2W(Ta) SOT-26
型号:
DMN3033LDM-7
仓库库存编号:
DMN3033LDM-7DICT-ND
别名:DMN3033LDM-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CHA 30V 1.1A DFN1310
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel Complementary 30V 1.1A, 700mA 390mW Surface Mount X2-DFN1310-6
型号:
DMC3730UFL3-7
仓库库存编号:
DMC3730UFL3-7DICT-ND
别名:DMC3730UFL3-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 2.3W(Ta),5.7W(Tc) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5468DC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5468DC-T1-GE3CT-ND
别名:SI5468DC-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 29.8W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR172ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR172ADP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR172ADP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 1.1A SSOT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.1A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
型号:
NDS351N
仓库库存编号:
NDS351NCT-ND
别名:NDS351NCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta) 2W(Ta),15W(Tc) 8-HSMT(3.2x3)
型号:
RQ3E080GNTB
仓库库存编号:
RQ3E080GNTBCT-ND
别名:RQ3E080GNTBCT
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