产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 70A(Tc) 75W(Tc) LFPAK33
型号:
BUK9M6R6-30EX
仓库库存编号:
1727-2584-1-ND
别名:1727-2584-1
568-13028-1
568-13028-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 5.9A PICOSTAR
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5.9A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR
型号:
CSD17585F5T
仓库库存编号:
296-45068-1-ND
别名:296-45068-1
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 52A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 9A(Ta),52A(Tc) 760mW(Ta) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4C08NT1G
仓库库存编号:
NTMFS4C08NT1GOSCT-ND
别名:NTMFS4C08NT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 69W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN4R0-30YL,115
仓库库存编号:
1727-4167-1-ND
别名:1727-4167-1
568-4683-1
568-4683-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, TRENCH,
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.9A (Ta) 3W Surface Mount 8-SOP
型号:
TSM4936DCS RLG
仓库库存编号:
TSM4936DCS RLGTR-ND
别名:TSM4936DCS RLGTR
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, TRENCH,
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.9A (Ta) 3W Surface Mount 8-SOP
型号:
TSM4936DCS RLG
仓库库存编号:
TSM4936DCS RLGCT-ND
别名:TSM4936DCS RLGCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, TRENCH,
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.9A (Ta) 3W Surface Mount 8-SOP
型号:
TSM4936DCS RLG
仓库库存编号:
TSM4936DCS RLGDKR-ND
别名:TSM4936DCS RLGDKR
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 30V MLFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 70A(Ta) 79W(Ta) LFPAK33
型号:
BUK9M5R2-30EX
仓库库存编号:
1727-7318-1-ND
别名:1727-7318-1
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 9A 3W Surface Mount 8-SOP
型号:
SH8KA4TB
仓库库存编号:
SH8KA4TBCT-ND
别名:SH8KA4TBCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 47A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 47A(Tc) 60W(Tc) DPAK
型号:
BUK6213-30C,118
仓库库存编号:
1727-5506-1-ND
别名:1727-5506-1
568-6984-1
568-6984-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 106W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN2R6-30YLC,115
仓库库存编号:
1727-5300-1-ND
别名:1727-5300-1
568-6730-1
568-6730-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 4A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
SI3457DV
仓库库存编号:
SI3457DVCT-ND
别名:SI3457DVCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
PCH -30V -5.5A MIDDLE POWER MOSF
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 5.5A(Tc) 1.5W(Tc) TSMT8
型号:
RQ7E055ATTCR
仓库库存编号:
RQ7E055ATTCRCT-ND
别名:RQ7E055ATTCRCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RS3E075ATTB
仓库库存编号:
RS3E075ATTBCT-ND
别名:RS3E075ATTBCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 71A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15A(Ta),71A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC057N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSC057N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSC057N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC057N03MSGINCT
BSC057N03MSGINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 106W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN2R4-30YLDX
仓库库存编号:
1727-1792-1-ND
别名:1727-1792-1
568-11375-1
568-11375-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Tc) 2.7W(Tc) 8-SO
型号:
STS11N3LLH5
仓库库存编号:
497-10310-1-ND
别名:497-10310-1
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807VTRPBF
仓库库存编号:
IRF7807VPBFCT-ND
别名:*IRF7807VTRPBF
IRF7807VPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 8A, 10.7A 1.9W Surface Mount V-DFN3030-8 (Type K)
型号:
DMT3011LDT-7
仓库库存编号:
DMT3011LDT-7DICT-ND
别名:DMT3011LDT-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6-TSOP
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.5A, 1.7A 830mW Surface Mount 6-TSOP
型号:
SI3590DV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3590DV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3590DV-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 27A PQFN5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 27A(Ta),50A(Tc) 3.6W(Ta),59W(Tc) 8-PQFN(5x6)
型号:
IRFH8316TRPBF
仓库库存编号:
IRFH8316TRPBFCT-ND
别名:IRFH8316TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 70A(Tc) 88W(Tc) LFPAK33
型号:
PSMN3R0-30MLC,115
仓库库存编号:
1727-7141-1-ND
别名:1727-7141-1
568-9574-1
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产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 70A(Tc) 91W(Tc) LFPAK33
型号:
PSMN2R9-30MLC,115
仓库库存编号:
1727-7140-1-ND
别名:1727-7140-1
568-9573-1
568-9573-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 21A(Ta),140A(Tc) 2.7W(Ta),113W(Tc) PowerDI5060-8
型号:
DMT3004LPS-13
仓库库存编号:
DMT3004LPS-13DICT-ND
别名:DMT3004LPS-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 142W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN2R0-30YLDX
仓库库存编号:
1727-2218-1-ND
别名:1727-2218-1
568-12472-1
568-12472-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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