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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 83W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPSH6N03LB G
  仓库库存编号：IPSH6N03LB G-ND
  别名：IPSH6N03LBGX
  SP000220143
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 115W（Tc） P-TO251-3
  
  型号：IPU04N03LB G
  仓库库存编号：IPU04N03LB G-ND
  别名：IPU04N03LBGX
  SP000220463
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 94W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU06N03LB G
  仓库库存编号：IPU06N03LB G-ND
  别名：IPU06N03LBGX
  SP000209113
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 58W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU09N03LB G
  仓库库存编号：IPU09N03LB G-ND
  别名：IPU09N03LBGX
  SP000209115
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 30A（Tc） 60W（Tc） P-TO251-3
  
  型号：IPU20N03L G
  仓库库存编号：IPU20N03L G-ND
  别名：IPU20N03LGX
  IPU20N03LGXK
  SP000018246
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 83W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPUH6N03LB G
  仓库库存编号：IPUH6N03LB G-ND
  别名：IPUH6N03LBGX
  SP000209114
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB100N03S2-03 G
  仓库库存编号：SPB100N03S2-03 G-ND
  别名：SP000200140
  SPB100N03S203GXT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB100N03S2L-03 G
  仓库库存编号：SPB100N03S2L-03 G-ND
  别名：SP000200141
  SPB100N03S2L03GXT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 42A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB42N03S2L-13 G
  仓库库存编号：SPB42N03S2L-13 G-ND
  别名：SP000200137
  SPB42N03S2L13GXT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 73A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 73A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB73N03S2L-08 G
  仓库库存编号：SPB73N03S2L-08 G-ND
  别名：SP000200138
  SPB73N03S2L08GXT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S2-03
  仓库库存编号：SPB80N03S2-03-ND
  别名：SP000016251
  SPB80N03S203T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S203GATMA1
  仓库库存编号：SPB80N03S203GATMA1TR-ND
  别名：SP000200139
  SPB80N03S2-03 G
  SPB80N03S2-03 G-ND
  SPB80N03S203GXT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S2L-03
  仓库库存编号：SPB80N03S2L-03-ND
  别名：SP000016252
  SPB80N03S2L03T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S2L-03 G
  仓库库存编号：SPB80N03S2L-03 G-ND
  别名：SP000200142
  SPB80N03S2L03GXT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S2L-04
  仓库库存编号：SPB80N03S2L-04-ND
  别名：SP000013901
  SPB80N03S2L04T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S2L-04 G
  仓库库存编号：SPB80N03S2L-04 G-ND
  别名：SP000200143
  SPB80N03S2L04GXT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S2L-05 G
  仓库库存编号：SPB80N03S2L-05 G-ND
  别名：SP000200144
  SPB80N03S2L05GXT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S2L-06 G
  仓库库存编号：SPB80N03S2L-06 G-ND
  别名：SP000200145
  SPB80N03S2L06GXT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD50N03S2-07
  仓库库存编号：SPD50N03S2-07-ND
  别名：SP000016253
  SP000077579
  SPD50N03S207XT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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  MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI100N03S2-03
  仓库库存编号：SPI100N03S2-03-ND
  别名：SP000013492
  SPI100N03S203X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 42A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 42A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI42N03S2L-13
  仓库库存编号：SPI42N03S2L-13-ND
  别名：SP000013897
  SPI42N03S2L13X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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  MOSFET N-CH 30V 73A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 73A（Tc） 107W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI73N03S2L-08
  仓库库存编号：SPI73N03S2L-08-ND
  别名：SP000016263
  SPI73N03S2L08X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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  MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI80N03S2-03
  仓库库存编号：SPI80N03S2-03-ND
  别名：SP000016262
  SPI80N03S203X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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  MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI80N03S2L-03
  仓库库存编号：SPI80N03S2L-03-ND
  别名：SP000016261
  SPI80N03S2L03X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 188W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI80N03S2L-04
  仓库库存编号：SPI80N03S2L-04-ND
  别名：SP000013903
  SPI80N03S2L04X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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