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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI100N03S2L03
  仓库库存编号：SPI100N03S2L03-ND
  别名：SP000013491
  SPI100N03S2L03X
  SPI100N03S2L03X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP100N03S203
  仓库库存编号：SPP100N03S203-ND
  别名：SP000013463
  SPP100N03S203X
  SPP100N03S203X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP100N03S2L03
  仓库库存编号：SPP100N03S2L03-ND
  别名：SP000013462
  SPP100N03S2L03X
  SPP100N03S2L03X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 42A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 42A（Tc） 83W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP42N03S2L13
  仓库库存编号：SPP42N03S2L-13TIN-ND
  别名：SP000013464
  SPP42N03S2L-13XTIN
  SPP42N03S2L-13XTIN-ND
  SPP42N03S2L13X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11.1A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：BSO4410T
  仓库库存编号：BSO4410XTINCT-ND
  别名：BSO4410XTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：BSO4420T
  仓库库存编号：BSO4420XTINCT-ND
  别名：BSO4420XTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：BSO4804T
  仓库库存编号：BSO4804XTINCT-ND
  别名：BSO4804XTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12.7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：BSO4822T
  仓库库存编号：BSO4822XTINCT-ND
  别名：BSO4822XTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 75A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK7505-30A,127
  仓库库存编号：BUK7505-30A,127-ND
  别名：934055405127
  BUK7505-30A
  BUK7505-30A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 75A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK7605-30A,118
  仓库库存编号：BUK7605-30A,118-ND
  别名：934055411118
  BUK7605-30A /T3
  BUK7605-30A /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 16A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Tc） 32.6W（Tc） DPAK
  
  型号：PHD16N03LT,118
  仓库库存编号：PHD16N03LT,118-ND
  别名：934057927118
  PHD16N03LT /T3
  PHD16N03LT /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 68.9A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 68.9A（Tc） 111W（Tc） DPAK
  
  型号：PHD63NQ03LT,118
  仓库库存编号：PHD63NQ03LT,118-ND
  别名：934057020118
  PHD63NQ03LT/T3
  PHD63NQ03LT/T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 75A（Tc） 166W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP101NQ03LT,127
  仓库库存编号：PHP101NQ03LT,127-ND
  别名：934057031127
  PHP101NQ03LT
  PHP101NQ03LT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 75A SOT533
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 75A（Tc） 166W（Tc） I-Pak
  
  型号：PHU101NQ03LT,127
  仓库库存编号：PHU101NQ03LT,127-ND
  别名：934057508127
  PHU101NQ03LT
  PHU101NQ03LT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 0.96A 6TSSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 960mA（Ta） 690mW（Tc） 6-TSSOP
  
  型号：PMG370XN,115
  仓库库存编号：PMG370XN,115-ND
  别名：934058291115
  PMG370XN T/R
  PMG370XN T/R-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V SOT96-1
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4420DY,518
  仓库库存编号：SI4420DY,518-ND
  别名：934056381518
  SI4420DY /T3
  SI4420DY /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 9A SOT96-1
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4800,518
  仓库库存编号：SI4800,518-ND
  别名：934056750518
  SI4800 /T3
  SI4800 /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V SOT96-1
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI9410DY,518
  仓库库存编号：SI9410DY,518-ND
  别名：934056383518
  SI9410DY /T3
  SI9410DY /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 5A SOT96-1
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI9936DY,518
  仓库库存编号：SI9936DY,518-ND
  别名：934056385518
  SI9936DY /T3
  SI9936DY /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 75A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK752R7-30B,127
  仓库库存编号：568-6622-5-ND
  别名：568-6622
  568-6622-5
  568-6622-ND
  934057086127
  BUK752R7-30B
  BUK752R7-30B,127-ND
  BUK752R7-30B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 75A（Tc） 300W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK7E2R7-30B,127
  仓库库存编号：568-6629-5-ND
  别名：568-6629
  568-6629-5
  568-6629-ND
  934058024127
  BUK7E2R7-30B
  BUK7E2R7-30B,127-ND
  BUK7E2R7-30B-ND
  BUK7E2R730B127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 38A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 38A（Tc） 41.6W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PH16030L,115
  仓库库存编号：PH16030L,115-ND
  别名：934058819115
  PH16030L T/R
  PH16030L T/R-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 76.7A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 76.7A（Tc） 62.5W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PH8030L,115
  仓库库存编号：PH8030L,115-ND
  别名：934058818115
  PH8030L T/R
  PH8030L T/R-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 13.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13.1A（Tc） 32.6W（Tc） DPAK
  
  型号：PHD16N03T,118
  仓库库存编号：PHD16N03T,118-ND
  别名：934057666118
  PHD16N03T /T3
  PHD16N03T /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 75A（Tc） 136W（Tc） DPAK
  
  型号：PHD82NQ03LT,118
  仓库库存编号：PHD82NQ03LT,118-ND
  别名：934057026118
  PHD82NQ03LT /T3
  PHD82NQ03LT /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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