产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 3.9A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRLL2703TR
仓库库存编号:
IRLL2703TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 23A(Tc) 45W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR2703TRL
仓库库存编号:
IRLR2703TRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 23A(Tc) 45W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR2703TRR
仓库库存编号:
IRLR2703TRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 55A(Tc) 107W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3103TRL
仓库库存编号:
IRLR3103TRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 55A(Tc) 107W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3103TRR
仓库库存编号:
IRLR3103TRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3303TRL
仓库库存编号:
IRLR3303TRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3303TRR
仓库库存编号:
IRLR3303TRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 89A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 89A(Ta) 89W(Ta) D-Pak
型号:
IRLR8103
仓库库存编号:
IRLR8103-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 89A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 89A(Ta) 89W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8103TR
仓库库存编号:
IRLR8103TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 44A(Tc) 62W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8503TRL
仓库库存编号:
IRLR8503TRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 44A(Tc) 62W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8503TR
仓库库存编号:
IRLR8503TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 44A(Tc) 62W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8503TRR
仓库库存编号:
IRLR8503TRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4420DYTR
仓库库存编号:
SI4420DYTR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2.7A(Ta) 1.25W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7523D1TR
仓库库存编号:
IRF7523D1TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 2A(Ta) 1.25W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7526D1TR
仓库库存编号:
IRF7526D1TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 7A(Ta) 1.79W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7726TR
仓库库存编号:
IRF7726CT-ND
别名:*IRF7726TR
IRF7726CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 61A(Tc) 87W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3708
仓库库存编号:
IRFU3708-ND
别名:*IRFU3708
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 7A(Ta) 1.51W(Ta) 8-TSSOP
型号:
IRF7706
仓库库存编号:
IRF7706-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 61A(Tc) 87W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3707
仓库库存编号:
IRFU3707-ND
别名:*IRFU3707
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 210A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 30V 210A(Tc) 3.8W(Ta),230W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP3703
仓库库存编号:
IRFP3703-ND
别名:*IRFP3703
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) TO-262
型号:
IRF3708L
仓库库存编号:
IRF3708L-ND
别名:*IRF3708L
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 75A SOT223
详细描述:通孔 N 沟道 30V 75A(Ta) SOT-223
型号:
IRLL1503
仓库库存编号:
IRLL1503-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 4A(Ta) 2W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRF5800
仓库库存编号:
IRF5800-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807A
仓库库存编号:
IRF7807A-ND
别名:*IRF7807A
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 3.8A(Ta) 2W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRF5805
仓库库存编号:
IRF5805-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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